огіці и функцію" АБО-НІ у від'ємній логіці, Причому на транзисторах VТ2-VТ4 реалізовано Складний інвентор, Який здійснює операцію "НІ". Таке схемне решение дозволило забеспечити скроню навантажувально здатність, достатності швідкодію и завадостійкість схеми, оскількі струм в Закритому стані схеми створюється малим віхіднім опором емітерного Повторювач, зібраного на транзісторі VТЗ. а у відкрітому стані струм, что поступає в схему, забезпечується малим віхіднім опором відкритого транзистора VТ4. p> Если на ВСІ входь багатоемітерного транзистора VТ1 подані напруги, что відповідають рівню логічної одініці, то струм через резистор НІ тече в базу транзистора VТ2, а потім підсіленій струм з емітера VТ2 поступає в базу віхідного інвертуючого транзистора VТ4, Відкриваючи его; при цьом транзистор VТЗ буде закритий и Напруга на віході буде відповідаті рівню логічного нуля. Если хочай б на одному вході багатоемітерного транзистора з'явитися вхідна Напруга, что відповідає рівню логічного нуля, то відкріється відповідній Перехід база-емітер, багатоемітерній транзистор перейшовши до табору насічення и Потенціал его колектора таборі близьким до нуля. Тоб. VТ2 закріється, VТЗ відкріється, а на віході схеми ВСТАНОВИВ Напруга, яка відповідає рівню логічної одініці.
В
Рис. 2. Базова схема елемента "І-НІ" ТТЛ схеми з резистором в колекторі віхідного транзистора (а) І ее Умовне позначені (б).
Для Збільшення логічніх можливіть ТТЛ-схем до виводів від точок 1 і 2 інвертора під'єднується логічний розшірювач (рис.2, а); при цьом реалізується логічна функція "І-АБО-НI":
В
a) б)
Рис.2. Логічний розшірювач (а) i Умовне графічне позначені логічної схеми "І - АБО - НІ "(б). p> Поняття додатньої и від'ємної логікі. У додатній логіці лог. "1" відповідає високий рівень цифрового сигналу, лог. "О" - НИЗЬКИХ рівень. Тому один и тієї самий елемент Наприклад мікросхеми К155ЛАЗ відповідає двома логічнім функціям, в нашому прікладі це функція "І-НГ для додатньої логікі і - "АБО-НI для від'ємної логікі.
Основні електричної параметри базових логічніх ЕЛЕМЕНТІВ (ЛЕ) візначають характеристики практично всех мікросхем, что входять до конкретної Серії, и візначають можлівість сумісної роботи мікросхем різніх серій в складі апаратури. До таких параметрів відносяться:
В· швідкодія;
В· споживна Потужність (Р СП );
В· завадостійкість (U зв );
В· коефіцієнт розгалуження по виходе (навантажувально здатність) (к РОЗ );
В· коефіцієнт об'єднання по входу (Ко Б ).
Швідкодія візначається дінамічнімі параметрами цифрових мікросхем, до якіх відносяться:
В· t 0,1 - Година переходу їз стану НИЗЬКИХ уровня в стан високого уровня;
В· t 1,0 ЗТР - Година затримки Розповсюдження при включенні;
В· t 1,0 ЗТ - година затримки включення;
В· t 0,1 ЗТ - година затримки віключення;
В· t 0,1 ЗТР - Година затримки Розповсюдження сигналу при віключенні;
В· t ЗТРСР - середній годину затримки Розповсюдження сигналу;
В· t и - трівалість імпульсу;
В· Fр - робоча частота.
середній годину затримки Розповсюдження t ЗТРСР = 0,5 (t 1,0 ЗТР + t 0,1 ЗТР ) Вє усередненім параметром швідкодії, что вікорістовується при розрахунку годин характеристик послідовно включеними цифрових мікросхем. У довідніковіх даніх найбільш часто приводяться наступні дінамічні параметри цифрових мікросхем: t 1,0 зт, t 0,1 зт , t 1,0 ЗТР, t 0,1 ЗТР.
На рис.3. показані Рівні відліків, відносно якіх візначаються вказані дінамічні Параметри.
В
Рис.3. Рівні відліків цифрового сигналу, відносно шасе візначаються дінамічні параметри цифрових мікросхем.
Потенціальні логічні елєменти при работе в складі цифрового пристрою могут знаходітісь в статичному режімі (у стані "0" або "1") чі в дінамічному режімі (Перехідний процес). У залежності від виду технології, по якій Виконано ЛЄ, Потужність, споживай від джерела живлення, різна для шкірного стану. Одні елєменти спожівають Більшу Потужність в статичному режімі, яка позбав незначна збільшіться в момент перемикань, другі навпаки, характеризуються значний ЗРОСТАННЯ споживання Струму во время перемикань.
Середня споживай Потужність логічніх ЕЛЕМЕНТІВ в статичному режімі:
Рспср = 0,5 (Р 0 сп + Р 1 сп),
де Р В° сп - Потужність споживай мікросхемою при віхідному стані
Р 1 сп
