Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Логічні елєменти

Реферат Логічні елєменти





> - Потужність споживай мікросхемою при віхідному-стані "1". p> ЛЄ Із ЗРОСТАЮЧИЙ споживанням в дінамічному режімі крім статічної середньої потужності характеризуються потужністю, споживання на максімальній частоті перемикань. Прикладом таких мікросхем є мікросхеми КМОП, Які спожівають мікроамперні Струмило живлення, коли нема перемікаючіх сігналів.

допустимі межі статічної завадостійкості ЛЕ обмежує рівень вхідної напруги, яка щє не віклікає Випадкове спрацювання.

У статичному режімі розрізняють статичне завадостійкість по НИЗЬКИХ U 0 ЗВ и Високому U 1 ЗВ рівнях. Значення U 0 ЗВ и U 1 ЗВ візначать з помощью перехідніх характеристик. Параметр U 1 ЗВ візначається, як різніця мінімальної напруги високого уровня U 1 ВХmin и напруги в точці перегину верхньої крівої. Параметр U 0 ЗВ візначається як різніця напруг в точці перегину ніжньої крівої и максімальної напруги НИЗЬКИХ уровня U 0 ВXmax .

Для більш повної ОЦІНКИ завадостійкості схеми одночасно з статичність звітність, враховуваті дінамічну завадостійкість. Завадостійкість в дінамічному режімі поклади від трівалості, амплітуді и форми сигналів Завада, а такоже від запасу статічної завадостійкості и Швидкості перемикань ЛЄ.

Коефіцієнт розгалуження по виходе До Роз (навантажувально здатність) візначає число входів аналогічніх ЕЛЕМЕНТІВ, Які могут буті без Порушення працездатності під'єднані до виходів попередня ЛЄ. При збільшенні навантажувальної здатності розшіряються возможности! застосування цифрових мікросхем и зменшується число корпусів мікросхем в Пристрої. Альо при цьом погіршуються деякі параметри цифрових інтегральніх схем: зніжується швідкодія и завадостійкість та зростає споживай Потужність.

Коефіцієнт об'єднання по входу До про візначає Максимальне число входів цифрових мікросхем. Розрізняють КОЕФІЦІЄНТИ об'єднання по входу І К обІ та по входу АБО До обабився . Для Збільшення числа входів в окрем ЛЄ, Які входять в серію, передбачають СПЕЦІАЛЬНІ входь для організації схеми Розширення (Точніше, нарощування числа входів), При цьом в серію цифрових мікросхем вводитися схема розшірювача.


В 

Рис. 4 функціональна схема мікросхеми К155ЛАЗ. br/>

Технічні характеристики мікросхеми К155ЛАЗ.


Uж = +5 V В± 5% k троянд = k Про = 10


I 0 Вих = 16mA U 0 Вих = 0,4 V

I 1 Вих = -0,8 MA U 1 Вих = 2,4 V

I 0 Вх = -1,6 MA U 0 Вх = 2 Vmin

I 1 Вх = 40ОјA U 1 Вх = 0,8 Vmax

I 1,0 Зат = 15ns t 0,1 Зат = 22 ns


Контрольні запитання

булева логіка біполярній транзистор

1. Які сигналі назіваються потенціальнімі, А які імпульснімі?

2. Які основні параметри інтегральніх схем Серії TTL?

3. Як візначіті середній годину затримки Розповсюдження ЛЄ?

4. Як візначіті завадостійкість ЛЕ?

5. Що таке коефіцієнт об'єднання по входу и коефіцієнт розгалуження по виходе І як смороду вплівають на возможности! застосування цифрових мікросхем?

6. Як працює базовий TTL - елемент?

7. Які основні Особливості елеентів TTL І як смороду вплівають на навантажувально здатність TTL - схем?

8. Яка функція назівається Булевой?

9. Які основні Функції двох змінніх в алгебрі Буля?

10. Що таке базис Функції?

11. Навести приклад Поняття додатньої и від'ємної логікі.


Контрольні ВІДПОВІДІ


1. Сигнал, что візначаються рівнем напруги назіваються потенціальнімі, а схеми, что їх Використовують - потенціальнімі логічнімі схемами. Логічнім зміннім могут відповідаті такоже наявність або відсутність тактового імпульсу у візначені моменти годині. Такі сигналі и логічні схеми, что їх Використовують, назівають імпульснімі.

2. Елементи ТТЛ характерні тім, что вхідне коло ЕЛЕМЕНТІВ віконується на Основі багато-емітерного транзистора по схемі з спільною базою, Який має НИЗЬКИХ вхідній Опір. Такоже стум и Напруга. p> 3. Година затримки Розповсюдження t ЗТРСР = 0,5 (t 1,0 ЗТР + t 0,1 ЗТР ) Вє усередненім параметром швідкодії, что вікорістовується при розрахунку годин характеристик послідовно включеними цифрових мікросхем. У довідніковіх даніх найбільш часто приводяться наступні дінамічні параметри цифрових мікросхем: t 1,0 зт, t 0,1 зт , t ...


Назад | сторінка 3 з 4 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Проектування цифрових пристроїв з використанням цифрових мікросхем малої і ...
  • Реферат на тему: Вісокотемпературні надпровідні схеми інтегральніх мікросхем
  • Реферат на тему: Проектування цифрових пристроїв на основі цифрових компараторів для керуван ...
  • Реферат на тему: Класифікація інтегральних мікросхем, області застосування
  • Реферат на тему: Структурні схеми цифрових радіопередавальних пристроїв