U RК2 min = U п -2 Г— U mн - U БЕЗ -U ке2 .
Опір резистора R к2
R к2 = U RК2 < span align = "justify"> min (h 21ез +1)/I ез max.
Для забезпечення термостабільності каскаду скористаємося відомим співвідношенням
R б = R е < span align = "justify"> (S i - 1),
де S i = 2 ... 5-коефіцієнт нестабільності.
Так як для каскаду на транзисторі VT 3 R б = R к2 , отримуємо
U RК2 min (h 21ез +1)/I ез max = R ез (S i -1).
Для вибору типу вихідного транзистора допустимо, що R н = R ез . Тоді транзистор повинен відповідати наступним вимогам:
I до max доп> U m вих (2/R н ) = 0,43 А;
U ке max доп> U п span> = 20 В;
f р > f в = 10 березня 4 Гц;
P