Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок і аналіз підсилювальних пристроїв на транзисторах

Реферат Розрахунок і аналіз підсилювальних пристроїв на транзисторах





U RК2 min = U п -2 Г— U mн - U БЕЗ -U ке2 .


Опір резистора R к2


R к2 = U RК2 < span align = "justify"> min (h 21ез +1)/I ез max.


Для забезпечення термостабільності каскаду скористаємося відомим співвідношенням


R б = R е < span align = "justify"> (S i - 1),


де S i = 2 ... 5-коефіцієнт нестабільності.

Так як для каскаду на транзисторі VT 3 R б = R к2 , отримуємо


U RК2 min (h 21ез +1)/I ез max = R ез (S i -1).


Для вибору типу вихідного транзистора допустимо, що R н = R ез . Тоді транзистор повинен відповідати наступним вимогам:


I до max доп> U m вих (2/R н ) = 0,43 А;

U ке max доп> U п = 20 В;

f р > f в = 10 березня 4 Гц;

P

Назад | сторінка 2 з 13 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Графоаналитический розрахунок підсилювального каскаду на транзисторі
  • Реферат на тему: Розрахунок каскаду попереднього підсилення на біполярному транзисторі
  • Реферат на тему: Розрахунок і моделювання підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду за схемою з загальним емітером на транзи ...
  • Реферат на тему: Проектування вихідного каскаду зв'язкового передавача з частотною модул ...