fy"> до > (U п - U m ) 2 /R н = (20 - 5) < span align = "justify"> 2 /47 = 4,79 Вт
За отриманими даними, за довідником вибирають транзистор КТ 815А з наступними параметрами:
U ке = 40 В; I до max = 1,5 А; P до = 10Вт h 21е = 40; f гр = 5 МГц.
Вважаючи U Rе2 = 2 В, S i = 5, U БЕЗ = 0.8 В, з урахуванням виразу для мінімальної напруги на резистори R к2 , знаходять
Ом
Приймають R ез = 300 Ом.
. Розраховують каскад на транзисторі VT2:
Ом
Приймають RК2 = 1,2 кОм.
Визначають струм спокою транзистора VT2
мА
Rе2 = Urе2/Iк2п = 2/0, 01 = 198 Ом.
Приймають Rе2 = 200 Ом.
Транзистор VT2 повинен відповідати наступним вимогам:
Iкmax доп> Uп/Rк2 = 16,6 мА;
Uке max доп> Uп = 20 В;
fр> 3.104 Гц;
Pк max доп> IкпUкеп = 20,2 мВт.
За отриманими даними за довідником вибирають транзистор КТ 503Б з наступними параметрами:
Uке max доп = 25 В;
Ік max доп = 150 мА;
Pк max доп = 350 мВт;
h21 = 80-120;
fгр = 5 МГц.
На основі відомого розрахункового співвідношення: Rб = Rе (Si-1) отримують
Rб2 = Rе2 (Si-1) = 200 (5-1) = 800 Ом.
Тоді (Rбз В· Rб4)/(Rбз + Rб4) = Rб2;
Uп В· Rб4 (Rбз + Rб4) = Urе2 + Uбе2 = Uб2.
З наведених виразів за умови Uбе = 0.8 У знаходять:
Ом. Приймаються 0,9 кОм. p> Ом. Приймаються 5,7 кОм
Струм спокою бази транзистора VT2
I б2п = I к2п < span align = "justify">/h 21е = 0,1263 мА.
Струм дільника на резисторах R бз
