lign="justify"> n = 0,06 = 6 * 10 -2 (Ом * см),
= 1,5 * 1017 (см-3).
При? p = 3,25 (Ом * см),
= 4 * 1015 (см-3).
Порахуємо Ојn і Ојp за формулами [1, с 61]
В В
де Т абсолютна температура, а Тn = Т/300.
Так як Т = 300, то Тn = 1.
В В
Підставимо ці значення у формули (1.5а) і (1.5Б) і обчислимо N ар та N dn :
В В
Отриманий для N ар результат не збігається зі значенням, отриманим з [1, с 64]. Причина цьому може полягати в помилці формули (1,6 б). Для перевірки скористаємося емпіричної формулою для ? n і < span align = "justify">? p в кремнії з домішками [1]:
В
Значення для розрахунку за цією формулою візьмемо з таблиці 1.1:
Таблиця 1.1. Значення параметрів Ој max , Ој min , N, N ref.
Легована домішка РЛегірованная домішка ВОј min, 68.544.9Ој max 1414470.5N ref 9.20 * 10 16 2.23 * 10 17 ? 0.7110.719
В В
Підставимо ці значення у формули (1.5а) і (1.5Б) і обчислимо N dn та N ap :
Ndn = 1,7 * 1017,
Nap = 4,3 * 1015.
Отримані значення подвижностей добре узгоджуються з оцінками, отриманими за графіком [1, с 64] і приймаються в якості нульового наближення.
Порівнюючи значення N dn та N ap , приходимо до висновку, що N dn > N ap , тобто p-область легирована слабкіше, ніж n-область і тому є базою діода, а n-область - емітером.
Тепер можна знайти контактну різницю потенціалів за формулою (1.1):
В
Рівноважну ширину ОПЗ плоского p...
