Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Розробка комп'ютерних аналогів схем дослідження біполярних транзисторів

Реферат Розробка комп'ютерних аналогів схем дослідження біполярних транзисторів





ки біполярного pnp транзистора в схемі з загальною базою

2.1.1 Вхідні характеристики

.1.2 Вихідна характеристика

2.2 Статичні характеристики біполярного pnp транзистора в схемі з загальним емітером

2.2.1 Вихідна характеристика

.2.2 Характеристика зворотного зв'язку

.2.3 Характеристика прямої передачі

2.3 Частотні характеристики

2.3.1 У схемі із загальною базою

.3.2 У схемі із загальним емітером

2.4 Імпульсні характеристики

2.4.1 У схемі із загальною базою

.4.2 У схемі із загальним емітером

.4.3 Схема з діодом Шотткі

2.5 Режимні залежності підсилюючих властивостей транзистора

.6 Режимні залежності динамічних властивостей транзистора

3. Моделювання характеристик транзистора Дарлінгтона

3.1 Вхідна характеристика

.2 Вихідна характеристика

.3 Частотні властивості

4. Моделювання характеристик одноперехідного транзистора

. Моделювання характеристик тиристорів

5.1 Тріодної тиристор

.2 Симетричний тріодний тиристор

5.2.1 Фазове (тимчасове) регулювання

6. Моделювання характеристик польових транзисторів

6.1 МДП польові транзистори

6.1.1 Передавальна характеристика транзистора з індукованим p-каналом

.1.2 Передатна характеристика транзистора з вбудованим p-каналом

.1.3 Вихідна характеристика транзистора з індукованим p-каналом

.1.4 Температурна залежність передавальних характеристик МДП транзистора з p і n каналами

6.2 Польові транзистори з pn переходом в якості затвора

6.2.1 Передавальна характеристика p-канального польового транзистора

.2.2 Вихідна характеристика p-канального польового транзистора

.2.3 Температурна залежність вихідної характеристики p-канального польового транзистора

7. Моделювання характеристик IGBT транзистора

7.1 Вихідна характеристика

.2 Характеристика передачі

.3 Температурна залежність характеристики передачі

8. Моделювання характеристик діодів

8.1 Вольт-амперні характеристики діода

8.1.1 Пряма гілка ВАХ діода і її температурна залежність

.1.2 Зворотній гілка ВАХ діода і її температурна залежність

.1.3 Зворотній гілка ВАХ діода і її температурна залежність. Область пробою

8.2 Динамічні характеристики діода

8.2.1 На гармонійному сигналі

8.2.1.1 Тимчасова залежність струму через діод

.2.1.2 Залежність динамічних властивостей діода від температури

8.2.2 На імпульсному сигналі

8.2.2.1 Температурний аналіз імпульсних властивостей діода

8.3 Ємнісні властивості діода

.4 Стабилитрон як формувач прямокутних імпульсів

9. Моделювання характеристик варікапа

. Моделювання характеристик дифузійного резистора

. Моделювання характеристик транзисторної оптопари

. Моделювання характеристик фотоелемента

. Моделювання характеристик варистора

13.1 Вольт-амперна характеристика варистора

.2 Моделювання характеристик варистора в динамічному режимі

.3 Потроєння частоти на варисторе

14. Моделювання характеристик термистора

Висновки

Список літератури



Введення

комп'юте...


Назад | сторінка 2 з 23 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом
  • Реферат на тему: Температурні залежності параметрів вольт-амперної характеристики резонансно ...
  • Реферат на тему: Моделювання швидкісних характеристик автомобіля Audi A4 1.9 TDI седан