Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Статьи » Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора

Реферат Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора





Міністерство освіти ПМР

ГОУ Тираспольський Технікум Інформатики та Права

Відділення Інформаційних технологій












Дипломна робота

Тема: Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора




Виконавець: Трівшенко Марія Вікторівна

Студент 415группи

Спеціальність: ВМКС і С

Керівник: Іванова Юлія Володимирівна

викладач відділення ІТ




г. Тирасполь 2014р.

Завдання на дипломну роботу


Студента 415 групи : Трівшенко Марії Вікторівни

Тема дипломної роботи : Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора

Затверджена наказом № 229 від 10.12. 2013

Термін здачі роботи: 28.05.2014 р

Перелік питань дипломної роботи

а) Огляд літературних даних за темою;

б) Провести дослідження з даної тематики:

- розробка схеми;

- спроектувати стенд, пристрій, вузол;

аналіз робочих характеристик.

в) Привести інженерні розрахунки даного розроблювального пристрою;

г) Завдання з охорони праці: Заходи безпеки при технічному обслуговуванні електронної техніки.

Керівник Іванова Ю.В.

Завдання прийняв до виконання Трівшенко М.В.


Реферат


У дипломній роботі розглянуто комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора. Метою роботи є аналіз схемотехнічних рішень пристроїв для досліджень роботи схем включення біполярного транзистора, розгляд принципів роботи напівпровідникових пристроїв, а також аналіз програм, призначених для моделювання та аналізу електронних схем.

У програмі Electronic Workbench розглянуто дослідження статичних вольтамперних характеристик біполярного транзистора, включеного за схемою з загальним емітером, загальною базою та спільним колектором за допомогою осцилографа.

Проведено розрахунок основних параметрів біполярних транзисторів для всіх схем включення, а також аналіз отриманих результатів.

У розділі охорони праці були вивчені матеріали з техніки безпеки роботи з електронною технікою, загальні санітарно-гігієнічні вимоги до повітря робочої зони, заходи щодо захисту від шуму і вібрації, вимоги до освітлення приміщень та робочих місць ПЕОМ, методи придушення статичної електризації, забезпечення електробезпеки, вимоги безпеки при роботі з комп'ютерною технікою, вимогам до організації та обладнання робочого місця, а також протипожежна безпека.


Зміст


Введення

Глава 1. Технічна частина. Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора

.1 Аналітичний огляд на тему

.1.1 Загальні відомості про біполярному транзисторі

.1.2 Режими роботи транзистора

.1.3 Принцип роботи біполярного транзистора

.1.4 Основні параметри біполярного транзистора

.1.5 Схеми включення біполярних транзисторів

.1.6 Технологія виготовлення транзисторів

.1.7 Застосування транзисторів

.2 Практична частина. Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора

.2.1 Огляд програм для дослідження і проектування елементів електроніки

.2.2 Дослідження біполярного транзистора за допомогою програми EWB

Розділ 2. Охорона праці. Заходи безпеки при технічному обслуговування комп'ютерної техніки

.1 Виробнича санітарія і гігієна праці

.2 Вимоги до організації та обладнання робочого місця техніка

.3 Вимоги пожежної безпеки

Висновок

Список літератури


Введення


Напівпровідникові прилади (діоди і транзистори) завдяки малим габаритам і масі, незначному споживанню електроенергії, високої надійності і довговічності широко застосовуються в різній радіоелектронної апаратурі. В даний час майже вся побутова радіоелектронна техніка, включаючи телевізори, приймачі, магнітофони та ін., Працює на напівпровідникових приладах і мікросхемах. Застосування напівпровідникових приладів в електронних обчислювальних машинах дозволило вирішити проблему досягнення високих експлуатаційних параметрів ЕОМ при забезпеченні необхідної надійності. Для конструювання надійних схем на транзисторах, тобт...


сторінка 1 з 20 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Принцип Дії и режими роботи біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора МП-40А
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження режимів біполярного транзистора