напруженням. Під дією тиску 400 МПа питомий опір GaSb збільшується в два рази. Висока чутливість цих кристалів дозволила використовувати його для виробництва тензометрів. Застосовують його також для виготовлення тунельних діодів і мікрохвильових датчиків.
Таблиця 1. Деякі фізико-хімічні властивості антимонида галію (GaSb).
Атомна або молекулярна масса191, 47Тіп структурисфалерітПеріод решітки, нм0, 609593Плотность в твердому стані, 5,66 Щільність в рідкому стані при, 6,06 Температура плавлення, К985Давленіе пара в точці плавлення, МПа (Sb) Діелектрична проникність ( НЧ) 15,69 Ширина забороненої зони, еВ0, 72
Таблиця 2. Спостережуване поведінку ряду елементів у з'єднанні GaSb.
LiMgZnCdSiGeSnSbSeTeДААААААОДД
Де А - акцептор, Д - донор, О - нерозчинний елемент.
.3 Методи отримання матеріалу
Основними методами отримання напівпровідників на сьогодні є метод витягування з розплаву (метод Чохральського), метод нормальної спрямованої кристалізації (метод Бріджмена) і методу бестигельной і гарнісажной плавки. Крім цього, для з'єднань AIIIBV необхідно ще провести процес синтезу сполуки.
Метод Чохральського. Схема вирощування кристала методом витягування з розплаву наведена на малюнку. Суть методу полягає в наступному. Вихідний полікристалічний матеріал завантажують у тигель, потім розплавляють в герметичній камері у вакуумі або інертному атмосфері. Безпосередньо перед початком вирощування кристала розплав витримують при температурі трохи вище температури плавлення для очищення від летючих домішок, які, випаровуючись з розплаву, осідають на холодних частинах камери. Далі затравку прогрівають, витримуючи її над розплавом для запобігання термоудара в момент контакту холодної затравки з поверхнею розплаву. Запал являє собою монокристал високого структурного досконалості з мінімальною щільністю дислокацій, який вирізається в строго визначеному кристалографічному напрямку. Термоудар затравки може привести до збільшення в ній щільності дислокацій, які проростають у вирощуваний кристал, погіршуючи його структурну досконалість. Поверхневі порушення, що виникають при вирізання затравки, видаляють хімічним травленням. Після прогріву затравку занурюють у розплав і оплавляють для видалення поверхневих забруднень. Процес витягування кристала починають з формування шийки монокристала, що представляє собою тонкий монокристал. Діаметр шийки не повинен перевищувати лінійного розміру поперечного перерізу затравки, довжина повинна складати декілька її діаметрів. Шийку формують з одночасним зниженням температури розплаву з великою лінійною швидкістю і при великих осьових градієнтах температури. Це призводить до пересичених вакансіями області монокристала поблизу фронту кристалізації, що при відповідній кристалографічної орієнтації затравки полегшує рух і вихід на поверхню кристала дислокацій, пророслих з затравки. Для цього запал повинна бути орієнтована так, щоб площини ковзання дислокацій розташовувалися під якомога б? льшим кутами до напрямку росту кристалу. Такими площинами в решітці алмазу є площині {111}. Наступною після формування шийки операцією є разращіваніе монокристала від розмірів шийки до номінального діаметра злитка, тобто вихід на діаметр. Для запобігання збільшенню щільності ...
