яті на принципових схемах
Для того, щоб збільшити розрядність комірки пам'яті ПЗУ ці мікросхеми можна з'єднувати паралельно (виходи і записана інформація природно залишаються незалежними). Схема паралельного з'єднання однорозрядних ПЗУ приведено малюнку 3.
У реальних ПЗУ запис інформації проводиться за допомогою останньої операції виробництва мікросхеми - металізації. Металізація проводиться за допомогою маски, тому такі ПЗУ отримали назву масочний ПЗУ. Ще одна відмінність реальних мікросхем від спрощеної моделі, наведеної вище - це використання крім мультиплексора ще й демультиплексора. Таке рішення дозволяє перетворити одновимірну запоминающую структуру в двомірну і, тим самим, істотно скоротити обсяг схеми дешифратора, необхідного для роботи схеми ПЗУ. Ця ситуація ілюструється таким малюнком:
Малюнок 3. Схема многоразрядного ПЗУ (ROM)
масочного ПЗУ зображуються на принципових схемах як показано на малюнку 5. Адреси комірок пам'яті в цій мікросхемі подаються на висновки A0 ... A9. Мікросхема вибирається сигналом CS. За допомогою цього сигналу можна нарощувати обсяг ПЗУ (приклад використання сигналу CS приведений при обговоренні ОЗУ lt; # 461 src= doc_zip4.jpg / gt;
Малюнок 4. Схема масочного постійного пам'яті (ROM).
Малюнок 5. Умовно-графічне позначення масочного ПЗУ (ROM) на принципових схемах.
Програмування масочного ПЗУ виробляється на заводі виробнику, що дуже незручно для дрібних і середніх серій виробництва, не кажучи вже про стадії розробки пристрою. Природно, що для великосерійного виробництва масочний ПЗУ є дешевим виглядом ПЗУ, і тому широко застосовуються в даний час. Для дрібних і середніх серій виробництва радіоапаратури були розроблені мікросхеми, які можна програмувати в спеціальних пристроях - программаторах. У цих ПЗУ постійне з'єднання провідників у пам'ятною матриці замінюється плавкими перемичками, виготовленими з полікристалічного кремнію. При виробництві ПЗУ виготовляються всі перемички, що еквівалентно записи в усі комірки пам'яті ПЗУ логічних одиниць. У процесі програмування ПЗУ на висновки харчування і виходи мікросхеми подається підвищений харчування. При цьому, якщо на вихід ПЗУ подається напруга живлення (логічна одиниця), то через перемичку струм протікати не буде і перемичка залишиться неушкодженою. Якщо ж на вихід ПЗУ подати низький рівень напруги (приєднати до корпусу), то через перемичку пам'ятною матриці буде протікати струм, який випарує її і при подальшому зчитуванні інформації з цього осередку ПЗУ буде зчитуватися логічний нуль.
Такі мікросхеми називаються програмованими ПЗУ (ППЗУ) або PROM і зображуються на принципових схемах як показано на малюнку 6. Як приклад ППЗУ можна назвати мікросхеми 155РЕ3, 556РТ4, 556РТ8 та інші.
Програмовані ПЗУ виявилися дуже зручні при дрібносерійному і середньосерійному виробництві. Однак при розробці радіоелектронних пристроїв часто доводиться міняти записувану в ПЗУ програму. ППЗУ при цьому неможливо користуватися повторно, тому раз записане ПЗУ при помилкової або проміжної програмою доводиться викидати, що природно підвищує вартість розробки апаратури. Для усунення цього недоліку був розроблений ще один вид ПЗУ, який міг би стиратися і програмуватися заново.
Малюнок 6. Умовно-графічне позначення програмованого постійного пам'яті (PROM) на принципових схемах
ПЗУ з ультрафіолетовим стиранням будується на основі пам'ятною матриці побудованої на комірках пам'яті, внутрішній устрій якої наведено на наступному малюнку:
Малюнок 7. пам'ятною осередки ПЗУ з ультрафіолетовим і електричним стиранням
Осередок являє собою МОП транзистор, в якому затвор виконується з полікристалічного кремнію. Потім в процесі виготовлення мікросхеми цей затвор окислюється і в результаті він буде оточений оксидом кремнію - діелектриком з прекрасними ізолюючими властивостями. В описаній осередку при повністю стертом ПЗУ, заряду в плаваючому затворі немає, і тому транзистор струм не проводить. При програмуванні ПЗУ, на другий затвор, що знаходиться над плаваючим затвором, подається висока напруга і в плаваючий затвор за рахунок тунельного ефекту індукуються заряди. Після зняття программирующего напруги індукований заряд залишається на плаваючому затворі, і, отже, транзистор залишається в провідному стані. Заряд на плаваючому затворі подібної осередку може зберігатися десятки років.
Структурна схема описаного постійного пам'яті не відрізняється від описаного раніше масочного ПЗУ. Єдина відмінність - замість плавкої перемички використовується описана вище осередок. Такий вид ПЗУ називається репрограмміруемом постійними пристроями, що запам'ятовують (РПЗУ) або EPROM. У РПЗУ стирання раніше записаної інформації здійснюється ультрафіолетовим випромінюванням. Для того, щоб це світло міг безперешкодно проходити до напівпровідникового кристалу, в...
