ювання при атмосферній масі АМ 1.5 и температурі 298 К, ??- Температурний коеффіціент Струму короткого замикання. Залежність фотострум від температури має лінійній характер.
Треба Зазначити, что зворотній струм насічення покладів від температури РЄ за формулою (4.11):
, (4.11)
де EG -ширина забороненої зони напівпровідніка (еВ).
максимально Потужність, что віробляється РЄ можна оцініті помощью следующего вирази:
, (4.12)
де FF - коефіціент Заповнення ВАХ СЕ.
Розрахунки характеристик РЄ Було Здійснено помощью математичного забезпечення пакету MATLAB. Для моделювання були вікорістанні монокремнієві фотоперетворювачі K5M165H-N класу H262 з параметрами, наведення в табліці 6.1. Вихідні параметри сонячного елемента були віміряні за сттандартнімі умів: G 0=1000 Вт/м 2, АМ 1,5, Т=298 К.
Таблиця 4.1 - Вихідні параметри сонячного елемента
ПараметрПозначенняВелічіна Максимальна потужністьP max 2.63 ± 0.03ВтСтрум короткого заміканняI SC 4,77 АНапруга холостого ходуV OC 0,62 в максимальному струмI max 4,71 в максимальному напругаV max 0,53 В
4.2 Залежність параметрів сонячного елементи від R S , R < b align="justify"> SH
согласно з рис. 4.2 основні Втрати електрічної потужності відбуваються на опорах RS, i R SH Так, збшьшення послідовного опору RS веде до різкого погіршення форми ВАХ та зниженя віхідної потужносп ФЕП (рис. 4.4-4.5). Це можна помітіті на збільшенні нахилится кривих біля точки V ОС. У тій же година Зменшення шунтуючого опору R SH від 1 КОм до 10КОм порівняно мало вплівае на форму ВАХ (рис. 4.6-4.7). За розрахунком коефіціент ідеальності ВАХ становіть n max=1,22. Таким чином, для Підвищення віхідної потужності ФЕПу треба Забезпечувати шдвіщення R SH та Зменшення RS.
Вплив інтенсівності освітлення поверхн1 ФЕП (G). 3 вирази (4.10) віплівае прямо пропорщйна залежшсть фотострум I PH від уровня інсоляції при Постійній температурі. Результати впліву G на характеристики ФЕП наведені на рис. 4.8-4.9. Можна Бачити, что з зростанням уровня інсоляції струм короткого замикання зростан i збільшується віхідна Потужність. Це можна поясніті логаріфмічною залежшстю напруги холостого ходу від Сонячної інтенсівності, а такоже Струму короткого замикання від променевої енергї. Розрахунки показують, что з зростанням Сонячної інтенсівносп I SC та V OC збілипуються, но змінювання напруги холостого ходу не таке Значне, як Струму короткого замикання, что змешується почти прямо пропорщйно.
4.3 Залежність параметрів фотоелекронно перетворювач від температури
Зростання температури РЄ віявляється:
· у незначна збільшенні Струму короткого замикання відповідно з Рівняння (4.10);
· у підвіщенні Струму насічення відповідно з рівнянням (4.11);
· у лінійному спаді напруги холостого ходу у відповідності з залежністю
За розахункамі:
· Температурний коеффіціент Струму короткого замикання становіть KI=0.00273456 А /? С;
· Температурний коеффіціент напруги холостого ходу ставити KV=0.074123 В /? С
Висновки
Постановка проблеми. Використання поновлюваніх джерела енергії (ПДЕ) для Отримання електричної енергії становится невід'ємною Частин сучасної енергетики. Серед других ПДЕ сонячна енергія займає ключові позіції. Оскількі Сонце існує Вже мільярді ЛКТ и Прийнято вважаті, что данє джерела енергії невичерпний, доступних по всій поверхні Землі І що ще більш Важлива є безкоштовна. Фотоелектрічні системи (ФЕС) здатні безпосередно превратить Енергію Сонячної радіації в ЕЛЕКТРИЧНА, що не мают Рухом частин, з Нульовий Викиди шкідливих Речовини в атмосферу І, як наслідок, є очень надійнімі и просто в ЕКСПЛУАТАЦІЇ. Недоліком на Данії момент є: висока ВАРТІСТЬ виробництва фотоелектрічніх елементів.
На Основі розробленоі моделі були віконані помощью пакету Matlab (Додаток Б) достаточно точні розахункі параметрів РЄ. Розраховані ВАХ та вольтватнахарактерісткі показали коректні піддтвердження залежності параметрів ФЕП від послідовного i шунтуючого onopiв, а такоже від впліву Сонячної випромінювання та температура. Модель может буті Використана для розрахунку i АНАЛІЗУ ФЕП, Сонячна елементів, модулів i систем. Отрімані значення ми порівнялі з спеціфікацією ФЕПу, данні співали. Лістінг прграмми наведення Додаток 2.
