, застосування. /Ю.Ф. Козлов, В.В. Зотов. - М.: МІЕТ, 2004 - 287 с. p align="justify"> 9. Палатник Л.С. Епітаксіальні плівки. /Л.С. Палатник, І.І. Папіров. - М.: Наука, 1971 - 480 с. p align="justify">. Палатник Л.С. Механізм утворення і структура конденсованих плівок. /M.Я. Фукс, В.M. Косевич. - M.: В«НаукаВ», 1972 -318 с. p align="justify"> 11. Електромеханічні, терморезістівні и фотоелектрічні перетворювачі на Основі монокристалів системи Si-Ge/Р.І. Байцар, С.С. Варшава, Є.П. Красножонов та ін. // Журнал неорганічніх матеріалів. - 1996. - Т.8, № 7. - С. 789-793. p align="justify">. # "Justify"> - сапфір як новий метод отримання структурно досконалих плівок кремнію на сапфіровою підкладці, дата доступу: 20.11.2012 р.
13. A one dimentional SiGe superlattice grown by UHV epitaxy/E. Kasper, H.J. Herzog// Appl.Phys. - 1975. - V.1, № 8. - P. 199. p align="justify">. Fabrication of n-and p-channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing/M. Holzmann, P. Baumartner, C. Engel// Appl.Phys. Lett. - 1996. - V.6, № 21 - P. 3025-3027. p align="justify">. Pseudomorphic growth of Ge x Si 1-x on silicon by molecular beam epitaxy/JC Bean, T.T. Shang// Appl.Phys.Lett. - 1984. - V. 4, № 44. - P.102.
. Growth contol of Ge x Si 1-x /Si strained layer superlattice by the RHEED intencity oscillation/T. Sakamoto, K. Sacamoto, H. Oyange// Journal Phys. Paris. - 1987. - V. 7, № 48. - P.5-333.
. Non-ideal current-voltage characteristics in MBE-grown Si 1-X Ge x /Si heterojunction bipolar transistors/V. Roberts, D. Allsopp// Semicond. Sci. And Technol. - 1996. - V. 9, № 9. - P.1346-1353.
18. # "Justify"> 19. # "Justify">. <3dnews.ru/cpu/intel_penryn/ - Intel Penryn: перші 45 нм процесори, дата доступу: 24.11.2012 р.
