br/>
Висновки
. Во время Виконання курсової роботи Було Вівче Загальну характеристику процеса епітаксії та методи ее проведення. Епітаксія - це метод осадженим монокрісталічної плівкі на монокрісталічну підкладку, при якому крісталографічна орієнтація кулі, Який осаджують, повторює крісталографічну орієнтацію підкладкі. Осаджена плівка назівається епітаксійною плівкою або епітаксійнім кулею. Епітаксія может відбуватіся з газової (газофазного), рідінної (Рідко) та твердої (твердофазна) фаз. Перевага Першого та іншого методів над третім є простота виготовлення та Менша трудозатрачуваність. p align="justify">. У залежності від матеріалу епітаксійного шару та підкладкі розрізняють гомоепітаксію та гетероепітаксію. При гомоепітаксії хімічний склад кулі и підкладкі співпадають, Наприклад, при осадженні кремнієвого кулі на кремнієву підкладку. При гетероепітаксії Хімічні склади епітаксіального кулі та підкладкі Різні. Прото тип та основні параметри крісталічніх решіток повінні буті однаково. p align="justify">. Гетероепітаксія дозволяє отрімуваті гетеропереходи, Які володіють спеціфічнімі електрофізічнімі характеристиками. p align="justify">. Епітаксія на діелектрічніх та металічніх підкладках відкріває Великі возможности для розробки новіх тіпів мікросхем. p align="justify">. Гетероепітаксія кремнію на ізолюючіх підкладках являється одним з перспектівніх напрямків у технології інтегральніх мікросхем, так як в цьом випадка природнім путем вірішується проблема ізоляції ЕЛЕМЕНТІВ схеми на підкладках. br/>
Список літератури
1. Готра З.Ю. Технологія Електронної техніки: Навч. Посібник: у 2 т./З.Ю. Готра. - Львів: Видавництво национального УНІВЕРСИТЕТУ В«Львівська політехнікаВ», 2010. - Т.1. - 888 с. p align="justify"> 2. Броудай І., Мерей Дж. Фізичні основи микротехнологии: Пер. з англ./Под ре д. А.В. Шальнова/І. Броудай, Дж. Мерей. - M.: Світ, 1983. - 494 с. p align="justify">. Єфімов І.Є. Основи мікроелектроніки: Підручник. 3-е изд., Стер. /І.Є. Єфімов, І.Я. Козир. - СПб.: Видавництво В«ЛаньВ», 2008. - 384 с. p align="justify">. Закалік Л. І.. Основи мікроелектронікі. Навчальний посібник. /Л.І. Закалік, Р.А. Ткачук. - Тернопіль: ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998. -352 С. p align="justify">. Епітаксійні кульк GaAs Отримані газофазного хлоридно епітаксією з використаних галієвого джерела легованих ітербієм/С.І. Круковський, Д.М. Заячук, І.О. Мрихін та ін. // Фізика и хімія твердого тіла. - 2009. - Т. 10, № 3. - С. 594-597. p align="justify"> 6. Богданович Б.Ю. Технології та методи дослідження структур КНС. /Б.Ю. Богданович. - М.: МІЕТ, 2003. - 288 с. p align="justify">. Андрєєв В.М. Кремнієві структури для приладів мікроелектроніки. /В.М. Андрєєв, Д.В. Зінов'єв. - М.: МІЕТ, 2006 - 346 с. p align="justify">. Козлов Ю.Ф. Структура кремній на сапфірі: технологія, властивості, методи контролю...
