З Розглянуто принципом Дії транзистора віпліває, что Сила Струму колектора внаслідок рекомбінації Частини дірок з Електрон бази Трохи Менша від сили Струму емітера. Різніця струмів дорівнює сілі Струму бази, тоб
І б = І е < span align = "justify"> - І до . (1).
Одним з ВАЖЛИВО параметрів транзистора, Який характерізує его підсілювальні Властивості, є статичними коефіцієнт підсілення за Струмило. Для схеми вмиканням з спільнім емітером ВІН дорівнює відношенню Зміни сили Струму колектора І до до Зміни сили Струму бази І б при сталій напрузі между колектором и емітером
Uке: при Uке = const (2).
Виконуємо Дану роботу у двох комп ютерних програмах: помощью програми-симулятора здійснюється експериментальна частина, а за помощью Електрон таблицю-дослідніцька частина.
В
Рис.4. Схема в Electronic WorkBench для проведення зняття вхідніх характеристик транзистора. br/>В
Рис.5. Схема в WorkBench для проведення зняття вихідних характеристик транзистора. br/>
Хід роботи
І частина. Експериментальна. p align="justify"> Зняття вхідніх характеристик транзистора I б = f (U бе ) при U ке = const.
1. Запускаємо електронний симулятор Electronic WorkBench.
2. Складаємо ЕЛЕКТРИЧНА схему, збережений на рис. 4. У схемі НЕ застосовуються потенціометрі з метою Спрощення регулювання напруги джерел Струму.
. Знімаємо Значення бази Струму (I б ) від напруги на переході база-емітер (U бе ) прі стала значенні напруги на переході колектор-емітер (U < span align = "justify"> ке = const). Напругу на колекторі U ке вібіраємо 0, 100, 200 и 300 мВ. Величини напруг U ', U'' та U' 'залежався від типу досліджуваного транзистора. Для нашого ідеального транзистора напругу между базою та емітером U бе змінюємо в межах від 0,5 до 1 В через кожні 50 мВ.
Зняття ...
