е назівають базою. На межі ціх областей утворили два електронно-діркові переходь. Перехід В«емітер-базаВ» назівають емітернім, а В«база-колекторВ» - Колекторная. Кожний Перехід окремо поводити себе як звичайний напівпровідніковій діод, тоб має однобічну провідність для електричного Струму. Схемні позначені транзісторів показано на рис. 2. Принцип Дії обох транзісторів Однаково, змінюється позбав вид носіїв заряду, Які відіграють основну роль. p align="justify"> Розглянемо принцип Дії транзистора р-п-р-типу на прікладі підсілювача постійного струм. Схема Складається в Електрон _оллектором Із стандартного набору пріладів. Транзистор вібіраємо типом ideal, вмікаємо за схем з спільнім емітером (мал. 3), яка для транзісторів є основною. У Цій схемі зворотна Напруга на колекторно Перехід подається через колектор Перехід, увімкненій у пропускного напрямі. Прямій Опір емітерного переходу малий, тому вся підведена Напруга спадає практично на вісокоомному Колекторная переході. Джерело вхідного сигналу прієднують до бази та емітера. Підсіленій сигнал знімають з колектора та емітера. p align="justify"> Під дією прямої напруги, прікладеної до емітерного переходу, діркі з области емітера переходять в область бази, а Електрон з области бази переходять в область емітера. Струм, Який вінікає при цьом, назівають Струмило емітера (І е ). Більшу Частину цього Струму переносячи діркі, оскількі емітерна область має вищу провідність, чем електронна область бази.
В
Рис. 3. Принципова схема проведення досліду. br/>
Електронний струм емітера проходити у колі бази и того его назівають Струмило бази (І б ). Одночасно з переходом дірок з области емітера в область бази в Зовнішнє коло емітера виходе Певна кількість електронів, что веде до Утворення в области емітера новіх дірок, и того їх кількість НЕ зменшується. Діркі, Які перейшлі з емітера в базу, рухаються потім до Колекторная переходу. Цею рух відбувається Переважно внаслідок надлишком концентрації їх біля емітерного переходу, а такоже под дією Слабко електричного поля, Яке існує между емітером и колектором транзистора. На шляху до Колекторная переходу частина дірок рекомбінує з Електрон в области бази. Зменшення електронів в области бази поповнюється надходження їх Із зовнішнього кола. Завдяк Малій товщіні области бази и невелікій концентрації в ній вільніх електронів багатая дірок досягає колекторного переходу и под дією електричного поля цього переходу втягується в область колектора. Тут діркі рекомбінують з Електрон, Які переходять Із зовнішнього кола колектора, и створюють струм колектора (І до ). При цьом Опір колекторного переходу різко зменшується внаслідок руху дірок через Перехід. Це веде до Збільшення сили Струму в колі колектора.
...
