є змикатися з електронікою діелектричних матеріалів , магнітних матеріалів і т.д., перетворюючись поступово в електроніку твердого тіла в найширшому сенсі цього слова.
ПП технологія. Головні технологічні завдання напівпровідникової ел-ки - отримання напівпровідникових матеріалів (в основному монокристалічних) з необхідними властивостями, реалізація складних ПП структур (насамперед р-n -переходів) і розробка методів виготовлення напівпровідникових приладів , в яких ПП шари поєднуються з діелектричними і металевими. Освіта р-n -переходів зводиться до введення в напівпровідник необхідної кількості потрібних домішок в строго певних областях. В даний час (1975) поширені 3 способу отримання р-n -переходів: сплав, дифузія і іонне впровадження (імплантація).
При сплаві на поверхню пластини з напівпровідника, що володіє одним типом провідності (наприклад, на n -Ge, багатий донорами ) , поміщають шматочок металу, проникнення атомів якого в напівпровідник здатне надавати йому провідність ін типу (наприклад, шматочок In, атоми якого служать в Ge акцепторами) , і нагрівають пластину. Т. к. температура плавлення In значно нижче температури плавлення Ge, то In розплавляється, коли Ge ще залишається в твердому, кристалічному стані. Ge розчиняється в крапельці розплавленого In до насичення. При наступному охолодженні розчинений Ge починає виділятися з розплаву і кристалізуватися знов, відновлюючи розчинилася частина кристала. У процесі кристалізації атоми Ge захоплюють з собою атоми In. Утворився шар Ge виявляється збагаченим In і набуває провідність діркового типу. Т. о., На кордоні цього шару і нерастворившихся частини кристала Ge утворюється р-n -перехід.
При дифузії, наприклад, з газової фази пластина напівпровідника, що володіє, скажімо, електронною провідністю, поміщається в пари речовини, що додає напівпровіднику дірковий характер провідності і що знаходиться при температурі на 10-30% нижче температури плавлення напівпровідника. Атоми речовини-діффузанта, здійснюючи хаотичний тепловий рух, бомбардують відкриту поверхню напівпровідника і проникають в глиб його обсягу. Максимальна концентрація їх створюється в приповерхневому шарі. Цей шар набуває діркову провідність. У міру віддалення від поверхні концентрація акцепторів падає і в деякому перетині стає рівною концентрації донорів. Це перетин буде відповідати положенню
