Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Учебные пособия » Електроніка та мікропроцесорна техніка

Реферат Електроніка та мікропроцесорна техніка





1. Що таке Газотрон?

2. Призначення та будова Газотрон?

3. Будова та призначення іскрового розряднік?

В 

Інструкційна картка № 11 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни В«Основи електроніки та мікропроцесорної техніки В»


І. Тема: 2 Електронні прилади

2.4 Електровакуумні та іонні прилади

Мета: Формування спожи безперервного, самостійного поповнення знань; Розвиток творчих здібностей та актівізації розумової ДІЯЛЬНОСТІ.

ІІ. Студент повинний знаті:

- Правила маркування електровакуумніх та іонніх пріладів;

- Область ! застосування пріладів.

ІІІ. Студент винен уміті:

- Розшіфровуваті Умовні позначення ламп.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання. p> V. Література: [4, с. 22-23]. p> VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

1. Маркування електровакуумніх та іонніх пріладів.

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина. p> VІІІ. Контрольні питання для перевіркі якості засвоєння знань:

1. Що позначає КОЖЕН елемент в маркуванні електровакуумніх та іонніх пріладів?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Підготував викладач: Бондаренко І.В.

В 

Теоретична частина: Електровакуумні та іонні прилади

План:

1. Маркування електровакуумніх та іонніх пріладів.

Література


1. Маркування електровакуумніх та іонніх пріладів


позначені приймально-підсілювальніх ламп складаються з декількох цифрових и буквених ЕЛЕМЕНТІВ. p> Перший елемент - число, вказує напругу напруженного у вольтах (Закруглено). p> Другий елемент - буква, что характерізує тип лампи: Д - діоді, Ц - кенотроні, X - подвійні діоді, С - тріоді, Н - подвійні тріоді, П - вихідні пентодах и променеві тетродах, Ж - пентодах з короткої характеристики, К - пентодах з подовжений характеристики, Г - діод - тріод, Б - діод - пентодах, А - багатосіткові лампи. p> Третій елемент - порядковий номер даного типу лампи.

Четвертий елемент - буква, что характерізує Конструктивне оформлення лампи: С - в Скляна балоні діаметром больше 22,5 мм; П - мініатюрні (пальчікові) у Скляна балоні діаметром 19 и 22,5 мм; Б - надмініатюрні в Скляна балоні діаметром від 6 до 10,5 мм; А - надмініатюрні в Скляна балоні діаметром від 4 до 6 мм.

Наприклад: 6Д6А - Напруга напруженного 6,3 В; діод надмініатюрній в Скляна балоні діаметром 6 мм; шостий номер розробки; 1Ц21П - Напруга напруженного 1,4 В; кенотрон пальчікової Серії з діаметром балона 22,5 мм; двадцять перший номер розробки.

Контрольні запитання:

1. Що позначає КОЖЕН елемент в маркуванні електровакуумніх та іонн їх пріладів?

Інструкційна картка № 12 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни В«Основи електроніки та мікропроцесорної техніки В»


І. Тема: 2 Електронні прилади

2.5 Гібрідні інтегральні мікросхеми

Мета: Формування спожи безперервного, самостійного поповнення знань; Розвиток творчих здібностей та актівізації розумової ДІЯЛЬНОСТІ.

ІІ. Студент повинний знаті:

- Конструкції гібрідніх ІМС;

- Методи создания;

- Галузь ! застосування гібрідніх ІМС.

ІІІ. Студент винен уміті:

- Розрізняті Різні типи гібрідніх ІМС.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання. p> V. Література: [1, с. 60-62]. p> VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

1. Конструктівні елєменти гібрідніх інтегральніх мікросхем. маркування гібрідніх мікросхем.

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина. p> VІІІ. Контрольні питання для перевіркі якості засвоєння знань:

1. Які основні конструктівні елєменти гібрідніх ІМС?

2. Які Перевага та Недоліки гібрідніх ІМС на відміну від напівпровідніковіх ІМС?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Підготував викладач: Бондаренко І.В.

В 

Теоретична частина: Гібрідні інтегральні мікросхеми

План:

1. Конструктівні елєменти гібрідніх інтегральніх мікросхем, маркування гібрідніх мікросхем.

Література


1. Конструктівні елєменти гібрідніх інтегральніх мікросхем, маркування гібрідніх мікросхем


Гібрідні ІМС складаються з таких конструктивних вузлів:

1) ізоляційна основа Із Склопластик або керамічна, на Поверхні Якої у вігляді плівок нанесені резистори, конденсатори невелікої Ємності, котушкі невелікої індуктівності, електричної з'єднання;

2) діскретні безкорпусні НП прилади;

3) діскретні конденсатори Великої Ємності...


Назад | сторінка 25 з 70 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методичні вказівки та контрольні завдання для студентів-заочників
  • Реферат на тему: Опрацювання маршруту переходу
  • Реферат на тему: Концептуальна опрацювання проекту
  • Реферат на тему: Опрацювання місячної програми в СРСР
  • Реферат на тему: Internet-технології опрацювання ІНФОРМАЦІЙНИХ ресурсів