овий елемент ЕЗЛ. p align="justify"> У порівнянні Зі схемами ТТЛ схеми ЕЗЛ мают більш скроню швідкодію, альо пперешкодостійкість у них набагато нижчих. Схеми ЕЗЛ займають велику площу на крісталі, спожівають велику Потужність у статичному стані, ТОМУ ЩО вихідні транзистори Відкриті и через них протікає великий струм. Схеми, побудовані за даною технологією НЕ сумісні Зі схемами, побудованімі по других технологіях, что вікорістовує джерела позітівної напруги. p align="justify"> У первом та іншому поколінні обчіслювальної техніки вікорістовувалась Резисторно-транзисторна логіка (РТЛ) та діодно-транзисторна логіка (ДТЛ).
Будь-який цифровий Пристрій призначеня для Виконання тієї чи Іншої логічної Функції, отже, такий Пристрій можна представіті у віді Елементарна комірок, таких як НІ, І-НІ, АБО-НІ, Які пріведені нижчих в табліці 1. p align="justify"> Робота елемента емітерно-з вязаної логікі
Найбільш швідкодіючімі логічнімі ІМС у Данії годину є елєменти емітерно-зв язаної логікі (ЕЗЛ) i особливо елєменти емітерно-зв язаної логікі з емітернімі Повторювач на вході (ЕЕЗЛ). Ці елєменти Працюють у режімі перемиканням Струму, и в них висока швідкодія забезпечується, самперед, за рахунок Запобігання насічення транзісторів Шляхом Введення глибокого зворотнього зв язку з Струму помощью резистора в колі емітера. Цею зворотнього зв язок одночасно спріяє скороченню трівалості перехідніх процесів у базі транзісторів. Важливу роль грают обмеження між Зміни перепадів напруги и Використання емітерніх повторювачів для запровадження и знімання ІНФОРМАЦІЇ.
Найбільш пробачимо елементом на Перемикач Струму є елемент ЕЗЛ, схема Якого показана на рис. 7.10. Особливості ЕЛЕМЕНТІВ з про єднанімі емітерамі ЗРУЧНИЙ поясніті на прікладі цього елемента.
В
Рис. 7.10. Мікросхема ЕЗЛ
Основу розглянутої групи ІМС складає Перемикач Струму, что являє собою Ключовий елемент на транзисторах з обєднанімі емітерамі, (на рис. 1 транзистори T1 - Тз и Т). У емітерне коло транзісторів задається струм I0 постійного значення. Сталість Струму I0 підтрімується або Шляхом включенням в Коло емітерів порівняно вісокоомічного резистора R (рис. 7.10), або Шляхом Використання транзисторного джерела Струму. Значення Струму I0 вібірають так, щоб у нормальному режімі роботи елемента виключались насічення транзісторів, что утворюють Перемикач Струму. p> Керування Перемикач Струму здійснюється путем подачі сігналів на бази транзісторів T1 - Т3. На базу транзистора T подається фіксований опорний Потенціал Uоп, значення Якого вібірають так, щоб транзистор Т БУВ здатн пропускаті Повністю струм I0 при встановленні на базах вхідніх транзісторів НИЗЬКИХ потенціалу, відповідаючого логічному 0. p> При подачі високого потенціалу, что відповідає логічній 1, на базу хочай б одного з вхідніх транзісторів струм I0 перемікається в емітерне коло відповідного вхідного транзистора. При цьом транзистор Т с фіксованім Зсув замікається. При переміканні елемента відбувається зміна вихідних потенціалів: Потенціал колекторів вхідніх транзісторів зніжується на, а Потенціал колектора транзистора Т, підвіщуючі на, досягає уровня напруги джерела живлення Ег. p> Таблиця 5.1. Основні логічні Функції
В
У колі послідовно включеними перемікачів Струму колекторні потенціалі НЕ можна безпосередно використовуват як вхідні напруги для Керування Наступний ІМС, ТОМУ ЩО смороду перевіщують Рівні відповідніх потенціалів на входах. Для нормальної роботи ІМС звітність, сделать зрушення уровня Колекторная потенціалів. Для цієї мети найбільше часто Використовують емітерні повторювачі, что підключаються до колекторів вхідніх транзісторів и транзистора з фіксованім Зсув. При цьом зрушення уровня дорівнює перепаду напруги между базою и емітером Uбе.сд транзистора. ЦІМ перепадом напруги лімітується Розма логічного сигналу
. br/>
Дійсно, на базу вхідного транзистора в провідному стані подається вхідна Напруга, Яке відповідає логічній 1, что виробляти до відмікання цього транзистора и зниженя потенціалу колекторів вхідніх транзісторів. При цьом, щоб Відкритий транзистор НЕ насічувався, звітність, Забезпечити Виконання умови:
,
что Можливо Тільки в того випадка, ЯКЩО перепад напруги на колекторі НЕ перевіщує Напруга зрушення, Створена Повторювач, тоб при
(7.5)
Порушення цієї умови приводити до насічення транзистора, ТОМУ ЩО Потенціал его колектора віявляється нижчих потенціалу бази. Отже, Збільшення розмахом логічного сигналу, Який візначається перепадом напруги в Колекторная колі вхідніх транзісторів, Припустиме Тільки при відповідному збільшенні Зсув уровня Uбе.сд. Цього можна досягті, Наприклад, Шляхом вмиканням Додатк...
