Транзистор ГТ308Б - германієвий сплавно-дифузійний pnp.Предназначен для посилення, генерування та перетворення електричних коливань високої частоти і роботи в імпульсних схемах. Випускається в металевому герметичному корпусі зі скляними ізоляторами і має гнучкі висновки. Висновок колектора електрично з'єднаний з корпусом транзистора; висновок емітера позначений на корпусі кольоровий точкою. Маса транзистора не більше 2 г.
Малюнок 5 - Біполярний транзистор ГТ308Б
3.2 Електричні параметри біполярного транзистора ГТ308Б
Зворотний струм колектора при, не більше .............................. .2 мкА;
Зворотний струм емітера при; не більше .................. ... 50мкА;
Статистичний коефіцієнт посилення струму бази при=1В, ........................................................................ ..50-120;
Модулькоеффіціента посилення струму бази при. ............ .6,0;
Напруга насиченості між базою і емітером при неболее ................................................... ..0,5 В;
Напруга насичення між колектором і емітером при, не більше ............................................. ........ 1,2 В;
Ємність колектора при, не більше ............ ... 8 пФ;
Ємність емітера при, не більше ............... .25 пФ;
Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку при,, не більше ............................................................ .... 400пс;
Час розсмоктування при не більше ........................ .1 мкс;
. 3 Граничні експлуатаційні дані біполярного транзистора ГТ308Б
Струм колектора .. .......................................................... ... .50мА;
Імпульсний струм колектора при? імп=5 мкс ........................ .120 мА;
Напруга між колектором і базою, при відключеному емітері ................................................................ ......... 12 В;
Імпульсна напруга між колектором і базою при відключеному емітері і? імп=1 мкс .................................... ... 30 В;
Напруга між колектором і емітером:
при короткому замиканні емітера з базою ............ .. .......... ...... 15В;
при Rб=1 кОм ............................................................... ... 12 В;
при замикаючому напрузі на базі ............................... ... ..20 В;
Потужність на колекторі ............................................. ... 150 мВт;
Імпульсна потужність на колекторі при? імп=5 мкс ....... ... .360 м ВТ;
Діапазон робочих температур навколишнього середовища ...... .від - 55 до 60 ° С;
Тиск навколишнього повітря ..................... від 7 * до 3 * Па;
Відносна вологість при 40 ° С ................................. ..до 98%;
Постійні прискорення ................................................ ..до 150 g;
Багаторазові ударні прискорення .............................. ... ... до 150g;
Вібраційні навантаження в діапазоні частот 10-2000 Гц з прискоренням ..................................................................... .15 g;
Гарантійне напрацювання не менше .................................... ... 10000 год;
. 4 Вольтамперні характеристики біполярного транзистора ГТ308Б
Малюнок 6 - Вхідні характеристики транзистора
Малюнок 7 - Вихідні характеристики транзистора
. 5 Визначення параметрів біполярного транзистора ГТ308Б по їх статичним вольтамперних характеристик
- вхідний опір при короткому замиканні у вхідному ланцюзі; - коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі при холостому ході у вхідному ланцюзі; - коефіцієнт передачі струму при короткому замиканні у вихідному ланцюзі; - вихідна провідність при холостому ході у вхідний ланцюга;
напівпровідниковий діод стабілітрон транзистор
Список літератури
Довідник з напівпровідникових діодів, транзисторів і інтегральних схем. Під загальною редакцією М.М. Горюнова.- Видання 3.
г.
Катаранов Б.А., Палаженко А.В., Сиротинский І.Л.Електроніка.Учебное посібник до практичних занять.- Вид. СВИ РВ, 1996
