ром. Площа емітерного переходу менше площади Колекторная переходу.
Рис.1.2 - Схема площинах біполярного транзистора
Емітером назівається область транзистора призначеня якої є інжекція носіїв заряду в базу. Колектором назівають область, призначеня якої є екстракція носіїв заряду з бази. Базою є область, в якові інжектується емітером неосновні для цієї області носії заряду.
Концентрація основних носіїв заряду у емітер у много разів более концентрації основних носіїв заряду в базі, а їх концентрація в колекторі Дещо менше концентрації у емітері. Тому провідність емітера на кілька порядків вищє провідності бази, а провідність колектора Дещо менше провідності емітера.
Від бази, емітера и колектора зроблені Висновки. У залежності від того, Який з вісновків є загально для вхідніх и вихідних ланцюгів, розрізняють три схеми включення транзистора: Із загальною базою (ПРО) (ЗБ), загально емітером (ЗЕ), загально колектором (ЗК).
Вхідній, або керуючий ланцюг служити для управління роботом транзистора. У вихідний, чи керованих, ланцюги Виходять посілені коливання. Джерело підсілювання коливання включається у вхідній ланцюг, а у віхідну включається НАВАНТАЖЕННЯ.
Розглянемо принцип Дії транзистора на прікладі транзистора р-n-р-типу, включеного за схему зі спільною базою рис. (1.3).
Рис. 1.3 - Принцип Дії біполярного транзистора (р-n-р-типом)
Зовнішні напруги двох джерел живлення ЇЇ и Ек підключають до транзистора таким чином, щоб забезпечувався зсув емітерного переходу П1 в прямому напрямку (пряма напряжение), а Колекторная переходу П2 - у зворотнього напрямку (зворотна напряжение).
Если до Колекторная переході доповідь зворотна напряжение, а ланцюг емітера розімкненій, то в ланцюзі колектора протікає невеличкий зворотнього струм Ікс (одиниці мікроампер). Цей струм вінікає під дією зворотної напруги и створюється спрямованостей переміщенням неосновних носіїв заряду дірок бази и електронів колектора через Колекторная Переход. Зворотнього струм по колу: + Ек, база-колектор, - Ек. Величина зворотнього Струму колектора НЕ поклади від напруги на колекторі, но покладів від температури напівпровідніка.
При включенні в ланцюг емітера постійної напруги ЇЇ в прямому напрямку потенційній бар'єр емітерного переходу зніжується. Почінається інжектування (впорскування) дірок в базу.
Зовнішня напряжение, прикладом до транзистора, віявляється прікладенім в основному до переходів П1 и П2, того что смороду мают великий Опір в порівнянні з опором базової, емітерної и колекторної областей. Тому інжектовані в базу діркі переміщуються в ній помощью дифузії. При цьом діркі рекомбінують з Електрон бази.
Оскількі концентрація носіїв у базі значний менше, чем у емітера, то рекомбінують очень Небагато діркі. При Малій товщіні бази почти всі діркі будут доходіті до Колекторная переходу П2. На місце рекомбінованіх електронів в базу надходять Електрон від джерела живлення Ек. Діркі, рекомбіновані з Електрон в базі, створюють струм бази IБ. Під дією зворотної напруги Ек потенційній бар єр Колекторная переходу підвіщується, товщина переходу П2 збільшується. Альо потенційній бар єр Колекторная перехід не створює перешкоду для проходження через него дірок. Що увійшлі в область Колекторная переходу діркі потрапляють в сильне пріскорююче поле, створене на переході Колекторная напругою, и екстрагуються (втягуються) колектором, створюючі Колекторная струм Ік. Колекторная струм по колу: + Ек, база-колектор, -Ек.
Таким чином, в транзісторі протікає трьох Струмило: струм емітера, колектора и базі.У проводі, что є висновка бази, Струмило емітера и колектора спрямовані зустрічно.
Отже, струм бази дорівнює різниці струмів емітера и колектора:
Б=IЕ - ІК.
Фізичні процесівтранзісторі типом n-р-n протікають аналогічно процессамв транзісторі типом р-n-р.
Повний струм емітера IЕ візначається кількістю інжектованіх емітером основних носіїв заряду.
Основна частина ціх носіїв заряду досягаючі колектора, створює Колекторная струм Ік.
незначна частина інжектованіх в базу носіїв заряду рекомбінуються в базі, створюючі струм бази IБ.
Отже, струм емітера розділяться на Струмило бази и колектора, тобто
Е=IБ + Ік.
Струм емітера є вхіднім Струмило, струм колектора - віхіднім.
Вихідний струм складає часть вхідного, тобто
(1.1)
де a-коефіцієнт передачі Струму для...
