ign="justify"> Розрахунок режимів роботи транзисторів VT5, VT6 проводиться так само як транзисторів VT3, VT4 підсилювача потужності. Розрахунок режимів роботи транзисторів VT1 (VT2) і VT3 (VT4) проводиться в такій послідовності.
Визначимо величину опорів резисторів R7, R8. Вона вибирається в 5-10 разів більше значення вхідного опору змінному струму транзисторів VT5, VT6 при максимальному вхідному сигналі. З метою підвищення температурної стабільності бажано вибирати меншими значення опорів:
R7=R8=(5? 10) RвхT5 ~=
RвхT5 ~=Ом.
За отриманого значення R7 (R8) виберемо з ряду стандартних опорів резисторів найближчий у бік збільшення стандартний номінал опору резисторів R7 (R8), використовуючи ряд Е24. В даному випадку R7=R8=5100 Ом.
Знаходимо опір колекторної навантаження транзисторів VT3 і VT4:
RkНТ3 =.
Розрахуємо режим роботи транзисторів VT3 і VT4. Знайдемо амплітуду імпульсу колекторного струму транзистора VT3 (VT4):
IkmT3 =.
Визначимо струм спокою в робочій точці транзистора VT3 (VT4):
Визначаємо середнє значення струму, спожите від джерела живлення:
I0=
Визначаємо потужність розсіювання на колекторі VT3 (VT4):
Аналогічно вищевказаною способу, вибираємо пару транзисторів VT3 і VT4. За розрахованими значеніямP k, 2E k, I km та вимогам до частотним властивостям підбираємо транзистори VT3 і VT4. При цьому вони повинні мати однакові параметри і вольт-амперні характеристики (ВАХ). Отже, повинні виконуватися наступні умови:
,
, тобто
, тобто
Як транзисторів VT3 і VT4 вибираємо відповідно транзистори КТ315 (npn) і КТ361 (pnp).
За статичними характеристиками транзисторів VT3 (VT4) визначаємо амплітудне значення струму бази I бmT3 і напруга на базі U бmT3. Для цього будуємо навантажувальну пряму по точках:
,
,
Рис.7
I бmT3=0.000175 А=175 мкА
I 0бT3=170 мкА
Визначаємо амплітудне значення струму бази I бм і напруга на базі U бм транзисторів VT3 (VT4):
Рис.8
U бmT3=0.47-0.46=0.01В.
Вхідний опір транзистора VT3 змінному струму:
Виберемо величину опору резистора R 3=(0.25? 0.5):
R3=0.5=28,5 Ом.
За отриманого значення R3 виберемо з ряду стандартних опорів резисторів найближчий у бік збільшення стандартний номінал опору резистора R3, використовуючи ряд Е24. В даному випадку R3=30 Ом.
Визначимо опір колекторної навантаження транзистора VT1 (VT2):
Розрахуємо режим роботи транзисторів VT1 і VT2. Визначимо амплітуду імпульсу колекторного струму транзистора VT1 (VT2):
IkmT1=
Визначимо струм спокою в робочій точці транзистора VT1 (VT2):
Виберемо величину опору резістораR4 (R5)=(0.2? 0.4):
R4=R5=0.3=9 Ом.
За отриманого значення R4 (R5) виберемо з ряду стандартних опорів резисторів найближчий у бік збільшення стандартний номінал опору резістораR4 (R5), використовуючи ряд Е24. В даному випадку R3=R4=9.1 Ом.
Визначимо падіння напруги на R4:
Визначаємо середнє значення струму, спожите від джерела живлення:
I0=
Визначаємо потужність розсіювання на колекторі VT1 (VT2):
Аналогічно вищевказаною способу, вибираємо пару транзисторів VT1 і VT2. За розрахованими значеніямP k, 2E k, I km та вимогам до частотним властивостям підбираємо транзистори VT1 ??і VT2. При цьому вони повинні мати однакові параметри і вольт-амперні характеристики (ВАХ).
Отже, повинні виконуватися наступні умови:
,
, тобто
, тобто
Як транзисторів VT3 і VT4 вибираємо відповідно транзистори КТ315 (npn) і КТ361 (pnp).
За статичними характеристиками транзисторів VT3 (VT4) визначаємо амплітудне значення струму бази I бmT1 і напруга на базі U бmT1 (Рис 6). Для цього будуємо навантажувальну пряму по точках:
Рис.9
I бmT1=0.000185 А=185 мкА
I 0бT1=180 мкА
Визначаємо напругу на базі U бмT1 транзисторів VT1 (VT2):
Рис.10
