0, то VT3 і VT4 будуть закриті, а VT5 буде відкритий? Y=0, в інших випадках Y=1 ...
х1х2х3х4Y00000000110010000111010000101101100011111000010011101001011111000110111110111111
Дана схема реалізує функцію Y=x1 * x2 * x3 + x4 ...
Висновок
Розрахували електричну схему, визначили таблицю істинності і по ній визначили яку функцію реалізує задана схема
3. Розробка топології в гібридному варіанті
.1 Плівкові провідники
R1R2R3R4R5R612 кОм15 кОм10 кОм10 кОм9,1 кОм820 ОмP, мВт2,251,80,0490,0493,8242,45КФ121510109,10,82lрасчетн.1,161,160,160,161,321,32bрасчетн.0,09660,07730,0160,0160,1451,61l2,43221,81,6b0,20,20,20,20,21,3
Візьмемо сплав PC - 3001
R S=1000 Ом/кв. P 0=20мВт/мм 2
Знайдемо К Ф =R I /R S
До Ф1=R 1/R S=12
До Ф2=R 2/R S=15
До Ф3=R 3/R S=10
До Ф4=R 4/R S=10
До Ф5=R 5/R S=9,1
До Ф6=R 6/R S=0,82
Знайдемо
Знайдемо b I =l I /K Фi
b1=l1/KФ1=1,16/12=0,0966
b2=l2/KФ2=1,16/15=0,07733=l3/KФ3=0,16/10=0,0164=l4/KФ4=0,16/10=0,0165=l5/KФ5=1,32/9,1=0,145
b6=l6/KФ6=1,32/0,82=1,61
Так як у плівкових резисторів є обмеження, то l і b візьмуть наступні значення, наведені в таблиці
3.2 Навісні елементи
Вибираємо активні елементи - діоди і транзистори, керуючись такими принципами:
· Діоди і транзистори повинні бути безкорпусним;
· Повинні бути призначені для роботи в імпульсному режимі;
· Структура транзистора npn;
· Коефіцієнт передачі струму БТ gt; 50;
· Для діодів:
,;
· Для транзисторів:
,,
1. Як діодів VD1, VD2 візьмемо КД904А
Uобр.max=10В
Iпр.max=5мА, габарити 1? 1? 1
. Як транзисторів VT2, VT3, VT4, VT5 використовуємо КТ331А
Iк.max=20мА
Uкеmax=10В
Pкmax=15мВт
габарити 1? 1? 0,8
. В якості транзистора VT1 беремо многоемітерний транзистор
3.3 Топологічний креслення ІМС
Площа, яку займає резисторами:
SR=S R1 + S R2 + S R3 + S R4 + S R5 + S R6=2.4 * 0.2 + 3 * 0.2 + 2 * 0.2 + 2 * 0.2 + 1.8 * 0.2 + 1.6 * 1.
3=4.32мм 2
Площа, яку займає навісними елементами схеми:
S=S VD1 + S VD2 + S VT1 + S VT2 + S VT3 + S VT4 + S VT5 + S VT6=1 + 1 + 4 + 1 + 1 + 1 + 1 + 1= 11мм 2
Площа підкладки повинна бути не менше 5 * (4,32 + 11)=76,6мм 2
В якості підкладки вибираємо ситалл розмірами 12? 10 ...
Масштаб 10: 1
Висновок
У третє частині я розробив топологічний креслення в гібридному варіанті, враховуючи основні обмеження, що накладаються тонкопленочной технологією.
Висновок
У цій роботі ми склали електричну схему на основі базових цифрових інтегральних мікросхем (ЦІМС), для цієї електричної схеми та враховуючи додаткові вимоги до цієї схеми ми вибрали для 6 ЦІМС логіку КМДП і для 1 ЦІМС логіку ТТЛ ; справили електричний розрахунок цифрового пристрою і побудував топологію цього пристрою.
У результаті проведеної роботи ми освоїли основні положення Т.Е. та їх практичне застосування, а саме:
Закріпили основні положення алгебри логіки, за допомогою чого, можна мінімізувати функції і реалізовувати їх у різних логічних базисах і на практичних елементах;
Освоїли принципи вибору логіки ІМС і розрахунку їх параметрів;-навчитеся Розраховувати найпростіші цифрові інтегральні мікросхеми;
Так само освоїли принцип підбору матеріалів і активних елементів для мікросхеми, і подальшої розробки топології цієї схем...
