Теми рефератів

> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти

Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Розробка інтегрального цифрового пристрою

Реферат Розробка інтегрального цифрового пристрою

Тема: Курсовые проекты

а) х1=0 х2=0 х3=0 х4=0

U А=U 0 вх + Uеб=0,1 + 0,7=0,8 В

U В=U 0 вх + Uеб=0,1 + 0,7=0,8 В

, 8В не вистачить, щоб відкрити три pn переходу.

VD1, VD2, VT3, VT4 - закриті.

U C=U E=0

I КVT1=I КVT2=I R3=I R4=I БVT3=I БVT4=0

I R1=(Eп- U А)/R1=(6-0,8)/12=0,433мА 0 вх 1=I 0 вх 2=I 0 вх 3=I R1/3 =0,144мА R2=(Eп- U В)/R2=(6-0,8)/15=0,347мА 0 вх 4=I R2=0,347мА D=Uеб=0,7 В БVT5=I R5=(Eп-UD)/R5=(6-0,7)/9,1=0,582мА 0 вих=I 0 вх=0,433мА (беремо найгірший випадок)

Припустимо. Що VT5 знаходиться в режимі насичення.

IБVT5 gt; IБ.НАС? VT5

дійсно знаходиться в режимі насичення

IR6=(Eп- UКЕ.НАС)/R6=(6-0,1)/0,82=7,2мА

UF=UКЕ.НАС=0.1В

IКVT5=I0вих + IR6=0.433 + 7.2=7.633мА

Y=0

б) х1=1 х2=1 х3=1 х4=1

UА=0,6 + 0,7 + 0,7=2В

UB=0,6 + 0,7 + 0,7=2В

VT1 і VT2 - в інверсному режимі.

IR1=(Eп- UА)/R1=(6-2)/12=0,333мА1вх1=I1вх2=I1вх3=IR1ВІ=0,333 * 0,05=0,0166мАКVT1=IR1 + I1вх1 + I1вх2 + I1вх3=0,383мА

U C=Uеб=0,7 В

I R3=UC/R3=0,7/10=0,07мА

I БVT3=I КVT1 - I R3=0,383-0,07=0,313мА

I R2=(Eп- U В)/R2=(6-2)/15=0,266мА

I 1 вх 4=I R2 У І=0,266 * 0,05=0,0133мА КVT2=I R2 + I 1 вх 4=0,28мА Е=Uеб=0,7 В R4=U Е/R4=0,7/10=0,07мА БVT4=I КVT2 - I R4=0,28-0,07=0,21мА

Припустимо, що VT3 і VT4 знаходяться в режимі насичення.

IбVT3 gt; IБ.НАС.VT3, IбVT4 gt; IБ.НАС.VT4? VT3 і VT4 дійсно знаходяться в режимі насичення.

UD=UКЕ.НАС=0.1В? VT5 - закритий.

IБVT5=0, IКVT5=0

IR5=(Eп- UD)/R5=(6-0,1)/9,1=0,648мА

I1вих=I1вх=0,0166мА (беремо найгірший випадок)

IR6=I1вих=0,0166мА

UF=Eп- IR6 * R6=6-0,0166 * 0,82=5.986В

Y=1

в) х1=0 х2=0 х3=0 х4=1 (аналогічно а) і б)

UА=U0вх + Uеб=0,1 + 0,7=0,8 В

, 8В не вистачить, щоб відкрити три pn переходу.

VD1, VT3 - закриті.

UC=0

IКVT1=IR3=IбVT3=0

IR1=(Eп- UА)/R1=(6-0,8)/12=0,433мА0вх1=I0вх2=I0вх3=IR1/3=0,144мАB=0,6 + 0,7 + 0,7=2В

цифровий інтегральний мікросхема топологія

VT2 - в інверсному режимі.

IR2=(Eп- UВ)/R2=(6-2)/15=0,266мА

I1вх4=IR2ВІ=0,266 * 0,05=0,0133мАКVT2=IR2 + I1вх4=0,28мАЕ=Uеб=0,7ВR4=UЕ/R4=0,7/10=0,07мАБVT4=IКVT2- IR4=0, 28-0,07=0,21мА

Припустимо, що VT4 знаходиться в режимі насичення.

IбVT4 gt; IБ.НАС.VT4? VT4 дійсно знаходяться в режимі насичення.

UD=UКЕ.НАС=0.1В? VT5 - закритий.

IБVT5=0, IКVT5=0

IR5=(Eп- UD)/R5=(6-0,1)/9,1=0,648мА

IR6=I1вих=0,0166мА

UF=Eп- IR6 * R6=6-0,0166 * 0,82=5.986В

Y=1

2.3 Таблиці

UAUBUCUDUEUF VT1VT2VT3VT4VT5VD1VD200000,80,800,700,7еб-відкр. кб-закр.еб-відкр. кб-закр.закрзакрнас.закрзакр1111220,70,10,75,986инвер.инвер.нас.нас.закроткроткр00010,8200,10,75,986эб-откр. кб-закр.інвер.закрнас.закрзакроткр

IВХ1IВХ2IВХ3IВХ4IR1IR2IR3IR4IR5IR6IБVT3IБVT4IБVT500000,1440,1440,1440,3470,4330,347000,5827,2000,58211110,0160,0160,0160,0130,3330,2660,070,070,6480,0160,3130,21000010,1440,1440,1440,0130,4330,26600,070,6480,01600,210

.4 Розрахунок потужностей

Вхідна комбінаціяТокі, мАПотребляемая потужність, мВтВх.1Вх.2Вх.3Вх.4IR1IR2IR5IR600000,4330,3470,5827,251,3711110,3330,2660,6480,0167,5800000,4330,2660,6480,0168,18

P=Eп * (I R1 + I R2 + I R5 + I R6)

Для першої комбінації P=6 * (0,433 + 0,347 + 0,582 + 7,2)=51,37мВт

Для другої комбінації P=6 * (0,333 + 0,266 + 0,648 + 0,016)=7,58мВт

Для третьої комбінації P=6 * (0,433 + 0,266 + 0,648 + 0,016)=8,18мВт

Максимальні потужності резисторів

Максимальний струм, мАМощность резисторів, мВтIR1IR2IR3IR4IR5IR6PR1PR2PR3PR4PR5PR60.4330.3470,070,070.6487.22,251,80,0490,0493,8242,45

P Ri=I i 2 * Ri R1=(0.433) 2 * 12=2.25мВт R2=(0.347) 2 * 15=1,8мВт

P R3=(0.07) 2 * 10=0,049мВт

P R4=(0.07) 2 * 10=0,049мВт

P R5=(0,648) 2 * 9,1=3,82мВт

P R6=(7,2) 2 * 0,82=42,45мВт

2.5 Таблиця істинності