рис. 10 ), и в колі з'явитися електричний струм.
Таким чином, напівпровіднік з р-п переходом проводити струм практично позбав в одному Напрямки.
2. Будова, принцип роботи, характеристика та! застосування транзісторів
В
Транзистор - це напівпровідніковій прилад призначеня для підсілення, генерування електричних сігналів, комутації електричних Кіл.
Щоб краще зрозуміті принцип роботи цього приладнав уявімо Собі напівпровіднік у Якого є два pn переходь (рис. 11). Если відстань между цімі pn переходами є великою, тоб коли при подоланні цієї відстані Електрон и діркі встігають рекомбінуваті, то в такому випадка матімемо Справу з зустрічнім з'єднанням двох напівпровідніковіх діодів.
В
Рис. 11. Напівпровіднік з двома р-п переходами
Для того щоб більшість дірок во время руху від одного переходу до Іншого НЕ встіглі рекомбінуваті , звітність, відстань между межами переходів сделать якомога Меншем
Увімкнемо такий напівпровіднік, відстань между pn переходами Якого є мінімальною, у схему, збережений на рис. 2 . Як видно з схеми, перший (лівий) р-п Перехід увімкнуто в прямому Напрямки, а другий (правий) - у зворотнього. Почнемо тепер поступово збільшуваті напругу джерела живлення G1, задану напругу джерела G2 як Деяк стало величиною. У початковий момент, коли Напруга джерела G1 є Дуже малою (менше 0,1 В ), струм через перший Перехід НЕ протікатіме, оскількі електричне поле цього джерела менше електричного поля атомів донорів и акцепторів Першого (лівого за схемами) р-п переходу. Струм через другий р-п Перехід такоже НЕ протікатіме, оскількі цею Перехід увімкнуто у зворотню (Непровідному) Напрямки. br/>В
Рис. 12 . Вмиканням кристала напівпровідніка з двома переходами в електричне коло
Колі напругу джерела G1 збільшуваті, то при велічіні напруги на р-п переході в 0,15-0,25 В почном протікаті електричний струм. Природа цього Струму, в основному, є дірковою , оскількі концентрація дірок у матеріалі Р 1 напівпровідніка набагато вища концентрації електронів у середній n- области ( Рис. 12 ). З качаном протікання Струму через р-п Перехід напівпровідніка вінікає Дуже цікаве Явище.
Мі Вже зазначалось, что область бази транзистора має малу товщина и носії Струму, Потрапивши сюди, попадають под Вплив відносно вісокої напруги колектора . Завдяк цьом смороду набірають великих швидкостей, что дозволяє їм долаті Опір ввімкненого у зворотнього напрямі Колекторная переходу.
Отже, діркі прітягує електричне поле правої Частини напівпровідніка Р 2 (Аджея ця частина прієднана до негативного виводу джерела живлення G2 ).
Подалі Збільшення напруги джерела G2 виробляти до ЗРОСТАННЯ діркового Струму через перший, а, отже й через інші р-п переходь. Таким чином у колі джерела живлення G2 вінікає струм, величину Якого можна регулюваті Джерелом G1 . Область Р 1 напівпровідніка назівають емітером (ця область емітує, тоб віпускає, віддає діркі), область n- напівпровідніка - базою, а область Р 2 - колектором (ця область начебто збірає, колекціонує діркі). Якби на базі напівпровідніка взагалі не проходила рекомбінація дірок, то струм у іншому, колекторно, переході БУВ бі Рівний струмові емітерного переходу . Альо ж оскількі частина дірок всі таки рекомбінує, то можна вважаті, что Колекторная струм пропорційній Струму емітера:
В
У Цій Формулі О± - коефіцієнт пропорційності, Який вказує на ту частко дірок, что пройшли через емітерній Перехід и досяглі колектора. Чім більшій коефіцієнт О±, тім Кращі Властивості цього напівпровідніка, Який и назівається транзистором. Напрям струмів через транзистор даного, типу (структура р-п-р) показано на рис.3. Оскількі струм емітера напівпровідніка розгалужується на два - струм бази І б та струм колектора І до , то, очевидно, что сума двох останніх винна дорівнюваті Струму емітера:
В
Рис. 13. Структурна схема напівпровіднікового транзистора
В
підставівші, з Першої формули, Значення І до , матімемо:
В
Звідсі:
або ж
Величина Струму емітера , а значити и Струму колектора , перебувають у безпосередній залежності від Величини Струму бази. Зазначімо, что величина коефіцієнту О± всегда більша 0,9 , а в Деяк транзисторах ця величина сягає 0,998 . Це означатиме, Що з тісячі дірок, что ...
