пройшли в область бази через емітерній Перехід , 998 попадає в область колектора, и позбав Дві встігають рекомбінуваті.
Таким чином, змінюючі величину базового Струму, можна змінюваті ї величину Струму емітера, а головно ї величину Струму колектора. При цьом чім больше Значення коефіцієнту О± , тім ефектівніше це регулювання. Так, Наприклад, при велічіні коефіцієнту О± рівному 0,95 , щоб создать силу Струму емітера в 10 мА , величина Струму бази винна становитися 0,5 мА, тоб буті в 20 разів Меншем:
В
У цьом випадка Колекторная струм Рівний 9,5 мА :
В В
Если ж узяті транзистор у Якого коефіцієнт О± = 0,99 , то для создания того ж самого Струму емітера, величина Струму бази становітіме Усього 0,1 мА. При цьом величина Струму колектора дорівнюватіме 9,9 мА. Іншімі словами, такий транзистор підсілює струм від 0,1 мА до 9,9 мА, тоб в 99 раз . Отже, підсілювальні Властивості транзистора Якраз полягають у тому, что при незначній зміні Величини Струму бази, однозначно зростає величина Струму колектора.
не менше ВАЖЛИВО параметром транзистора, Який характерізує его електричної Властивості, є вхідній та вихідний Опір. Цею параметр має особливе значення для узгодженням каскадів підсілення.
У практіці побудова каскадів Радіоелектронної апаратура, найбільш часто вікорістовуваною схем ввімкнення транзистора є так кличуть входити схема з спільнім емітером (рис.4, а). Як видно Із схеми, емітер транзистора з'єднано з загальною шиною. Це означає, что вхідній сигнал, Який можна податі на цею каскад, поступає на базу транзистора, натомість вихідний - знімають з его колектора. Дана схема ввімкнення транзистора Забезпечує підсілення за Струмило та напругою; вона характерізується відносно малим вхіднім та великим віхіднім опором.
В
Если транзистор ввімкнено у схему з спільною базою (СБ) , то вхідній сигнал подаються на емітер та Загальну шину; вихідний ж - знімають между колектором та цією ж загальною шиною (рис.4, б) . Дана схема ввімкнення транзистора Забезпечує підсілення позбав за напругою. Як и в попередня випадка, схема ввімкнення транзистора з спільною базою характерізується малим вхіднім та великим віхіднім опором.
Если транзистор ввімкнено у схему Із спільнім колектором СК (рис.4, в), то вхідній сигнал на таку схему подаються между базою транзистора та загальною шиною, до Якої через Опір НАВАНТАЖЕННЯ прієднано емітер транзистора; знімають вихідний сигнал между емітером та загальною шиною. Дана схема (ее назівають ще емітер ним Повторювач) Забезпечує квартальна коефіцієнт підсілення позбав за Струмило; характерізується вона великим вхіднім та малим віхіднім опором.
аналіз схем ввімкнення транзистора дозволяє сделать Висновок про ті, что Керуючому переходом транзистора є Перехід база-емітер ; керованого є коло у Яку ввімкнені емітер та колектор даного транзистора.
Вікорістані джерела:
1. Будіщев М.С. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка. -Львів: В«АфішаВ», 2001, 424 с. p> 2. Харченка В.М. Основи електроніки. - М.: Енергоіздат, 1982. p> 3. Основи промислової електроніки. /Під. ред. В.Г. Герасимова. - М.: Вища школа, 1986. p> 4. Гершунский Б.С., Ранський Є.Г. Лабораторний практикум з основ електронної та напівпровідникової техніки. - М.: Вища школа, 1979
5. Єфімчук М.К., Шушкевич С.С. Основи радіоелектроніки: Підручник-Мінськ.: Університетське, 1986. -302 С. p> 6. Напівпровідникові прилади. Транзистори середньої та великої потужності: Довідник/А.А.Зайцев, А.І.Міркін і ін - М.: Радіо і зв'язок, 1989.-640 с.
7. Радіотехніка. Енциклопедичний навчальний довідник/За ред. Ю.Мазора та ін. - К. Вища школа, 1999. - 838 с. p> 8. Данько В.Г., Міліх В.І., Черкасов А.К., Болюх В.Ф. Електротехні-ка. -Київ: НМК ВО, 1990, 264 с. p> 9. Малінівській С.І. Загальна електротехніка. -Львів, 2001, 596 с. p> 10. Чабан В.Й. Загальна електротехніка. -Львів, 1998, 340 с. br/>
