, яка наведена на малий. 4 для транзистора типу n-p-n. Потенціал емітера чинний за нульовий. У емітерному переході є Невеликий потенційній бар'єр. Чім больше Напруга Uб-е,, тім нижчих цею бар'єр. Колекторная Перехід має значний різніцю потенціалів, пріскорюючу Електрон.
В
Мал.4 Потенційна діаграма роботи n-p-n транзісторa
Окрім Розглянуто основних фізічніх процесів в транзисторах доводитися враховуваті ще ряд Явища.
Істотно впліває на роботу транзісторів Опір бази rб0, тоб Опір, Який база надає Струму бази Іб (нуль в індексі тут означає, что дана величина відносіться до постійного струм). Цею струм протікає до Виведення бази в напрямі, перпендикулярному напряму еміттер-колектор. Оскількі база Дуже тонка, то в напрямі від емітера до колектора, тоб для Струму Ік ее Опір Дуже малий и Не бере до уваги. А у напрямі до Виведення бази Опір бази rб0 (его назівають поперечно) досягає сотень ом, оскількі в цьом напрямі база аналогічна Дуже тонкому провіднікові. Напруга на емітерному переході всегда Менш, чем Напруга Uб-е между виводами бази и емітера, оскількі частина напруги, что підводіться, втрачається на опорі бази. З врахування опору rбі 0 можна змалюваті еквівалентну схему транзистора для постійного струм (мал. 5). br/>В
Мал. 5 Еквівалентна схема транзистора для постійного струм
На малий. 5, rе0 - Опір емітера, в Який входять Опір емітерного переходу и емітерної области. Значення rе0 в малопотужніх транзісторів досягає десятків ом, оскількі Напруга на емітерному переході НЕ перевіщує Десятого доль вольта, а струм емітера в таких транзисторах складає одініці міліампер. У потужнішіх транзісторів больше и iе0 відповідно менше. Опір rб0 візначається формулою (У омах) ду струм iе віражається в міліамперах.
Опір колектора rко є практично опором Колекторная переходу и складає одініці и десятки кілоом. У нього входити такоже Опір колекторної области, но воно порівняльно мало и їм можна нехтуваті.
Розглянуто еквівалентна схема є набліженою, оскількі насправді емітер, база и колектор мают между собою контакт не в одній точці, а в безлічі точок за всією площею переходів. Прото, ця схема может застосовуватіся для РОЗГЛЯДУ багатьох процесів в транзісторі.
При підвіщенні напруги на колекторно переході в нім відбувається лавинний розмноження носіїв заряду, через ударно іонізацію. Це Явище и Тунельна ефект здатні віклікаті електричний Пробій, Який при зростанні Струму может перейти в тепловий Пробій переходу. Електричний и тепловий Пробій Колекторная переходу в транзісторі відбувається в основному так само, як и в діоді. Альо в транзісторі при надмірному Колекторная струмі может вінікаті тепловий Пробій без попередня електричного пробою, тоб без Підвищення напруги на колекторно переході до пробивної. Це Явище, пов'язане з перегрівом Колекторная переходу назівається вторинно пробоєм.
Зміна напруги на колекторно и емітерному переходах супроводиться зміною товщина ціх переходів. У результаті змінюється товщина бази. Таке Явище назівають модуляцією товщина бази. Его особливо треба враховуваті при підвіщенні напруги колектор-база, оскількі тоді товщина Колекторная переходу зростає, а товщина бази зменшується.
При Дуже тонкій базі может стать ефект зімкнення (В«проколВ» бази) - з'єднання Колекторная переходу з емітернім. У цьом випадка область бази знікає и транзистор перестає нормально працювати.
При збільшенні інжекції носіїв з емітера в базу відбувається Накопичення неосновних носіїв заряду в базі, тоб Збільшення концентрації и сумарного заряду ціх носіїв. І навпаки, при зменшенні інжекції відбувається Зменшення концентрації и сумарного заряду неосновних носіїв в базі. Цею процес назівають розсмоктувані неосновних носіїв заряду в базі.
Розглянемо співвідношення между Струмило в транзісторі. Струм емітера управляється напругою на емітерному переході, альо до колектора доходити декілька менший струм, Який можна назваті керованого Колекторная Струмило Ік. упр .. Частина інжектованіх з емітера в базу носіїв рекомбінує, того де a-коеффіціент передачі Струму емітера, что є основним параметром транзистора. При нормальних Струм ВІН может мати Значення від 0,950 до 0,998. Чім слабкіше рекомбінація інжектованіх носіїв в базі, тім Ближче а до 1.
Через Колекторная Перехід всегда проходити Дуже невелика (НЕ більш за одініці мікроампер) некеруємій зворотнього струм Iк0 (малі 6). Цею струм назівають ще Початкова Струмило колектора. ВІН некеруємій того, что не проходити через емітерній Перехід. Таким чином, повний Колекторная струм
(1)
В
Мал. 6 напр струмів в транзісторі
У багатьох випадка и того можна вважаті, що.
Перетворімо формулу (1)
Віразімо: p> Позначімо и тоді ; (2)
тут - коефіцієнт передачі Струму бази и складає декілька десятків.
Напріулад, ЯКЩО a = 0,95, br/>В
а ЯКЩО ...
