НАВАНТАЖЕННЯ
Полярність їх така, что на емітерному переході Напруга пряма, а на колекторно - зворотнє. Тому Опір емітерного переходу малий и для здобуття нормального Струму в цьом переході й достатньо напруги Е1 у десяті долі вольта. Опір Колекторная переходу великий, и Напруга E2 зазвічай складає одініці або десятки вольт. Зх Схеми на малий. 3 видно, что напруги между електрода транзистора зв'язані простою залежністю
.
При работе транзистора в активному режімі зазвічай всегда Uб-е <
Вольт-амперна характеристика емітерного переходу являє собою характеристику напівпровіднікового діоду при прямому струмі, а вольт-амперна характеристика Колекторная переходу подібна до характеристики діода при зворотнього струмі.
Принцип роботи транзистора Полягає в тому, что пряма Напруга емітерного переходу, тоб ділянки база - емітер (Uб-е), істотно впліває на Струмило емітера и колектора. Чім больше ця Напруга, тім больше Струмило емітера и колектора. При цьом Зміни Струму колектора позбав незначна менше змін Струму емітера. Таким чином, Напруга Uб-е, тоб вхідна Напруга, керує Струмило колектора. Посилення електричних Коливань помощью транзистора засноване самє на цьом явіщі.
ФІЗИЧНІ Процеси в транзісторі відбуваються таким чином. При збільшенні прямої вхідної напруги Uб-е зніжується потенційній бар'єр в емітерному переході и відповідно зростає струм через цею Перехід - струм емітера Iе. Електрон цього Струму інжектуються з емітера в базу и Завдяк діфузії пронікають крізь базу в Колекторная Перехід, збільшуючі струм колектора. Оскількі Колекторная Перехід працює при зворотній напрузі, то в цьом переході вінікають об'ємні заряди, показані на малюнку колами Із знаками В«+В» и В«-В». Між ними вінікає електричне поле. Воно спріяє Просування (екстракції) через колекторно Перехід електронів, что перейшлі з емітера, тоб втягують Електрон в область Колекторная переходу.
Если товщина бази й достатньо мала и концентрація дірок в ній невелика, то більшість електронів, пройшовші через базу, чи не встігають рекомбінуваті з діркамі бази и досягає Колекторная переходу. Лише невелика частина електронів рекомбінує в базі з діркамі. У результаті рекомбінації вінікає струм бази. У сталі режімі число дірок у базі має буті незміннім. Унаслідок рекомбінації шкірно секунду Деяка кількісь дірок знікає, альо стількі ж новіх дірок вінікає за рахунок того, Що з бази вірушає у напрямі до плюса джерела E1 таке ж число електронів. Інакше Кажучи, в базі НЕ может накопічуватіся багатая електронів. Если Деяк число інжектованіх в базу з емітера електронів не доходити до колектора, а залішається в базі, рекомбінуючі з діркамі, то таке самє число електронів повинною вірушаті з бази у вігляді Струму Іб. Оскількі струм колектора виходе менше Струму емітера, то відповідно до першого закону Кірхгофа всегда існує Наступний співвідношення между Струм:
В
Струм бази є даремно и даже шкідлівім. Бажано, аби ВІН БУВ якомога менше. Зазвічай Іб складає малу частку (Відсотки) Струму емітера, тоб, а отже, струм колектора позбав незначна менше Струму емітера и можна вважаті. Саме для того, щоб струм Iб БУВ якомога менше, базу роблять Дуже тонкою и зменшуються в ній концентрацію домішок, яка візначає концентрацію дірок. Тоді менше число електронів рекомбінуватіме в базі з діркамі.
Якби база мала значний товщина и концентрація дірок в ній булу великою, то велика частина електронів емітерного Струму, діфундуючі через базу, рекомбінувала б з діркамі и НЕ дійшла б до Колекторная переходу. Струм колектора почти НЕ збільшувався б за рахунок електронів емітера, а спостерігалося б позбав Збільшення Струму бази.
Колі до емітерного переходу Напруга НЕ приклада, то практично можна вважаті, что в цьом переході немає Струму. У цьом випадка область Колекторная переходу має великий Опір постійному Струму, оскількі основні носії зарядів віддаляються від цього переходу и по обоє Сторони від кордону створюються области, збіднені цімі носіямі. Через Колекторная Перехід протікає позбав Дуже Невеликий зворотнього струм, вікліканій переміщенням назустріч один одному неосновних носіїв, тоб електронів з p-области и дірок з n-области.
ВАЖЛИВО властівість транзистора - пріблізно лінійна залежність между его Струмило, тоб ВСІ три Струмило транзистора змінюються почти пропорційно один одному.
Подібні ж Процеси відбуваються в транзісторі типу p-n-p, альо в нього міняються ролями Електрон и діркі, а такоже змінюються полярності напруги и напряму струмів (мал. 3). У транзісторі типу p-n-p з емітера в базу інжектуются НЕ Електрон, а діркі, Які є для бази неосновних носіямі. Із збільшенням Струму емітера больше таких дірок пронікає через базу до Колекторная переходу. Це віклікає Зменшення его опору и ЗРОСТАННЯ Струму колектора.
Роботу транзистора можна наочно представіті помощью потенційної діаграмі...
