о 90 К температурне розширення спектральних ліній поступово В«знімаєтьсяВ» і при 90 К починає повністю проявлятися квазідіскретний спектр екситонної люмінесценції (рис. 4, б). Інтенсивність цієї люмінесценції буде визначатися концентрацією пов'язаних електронно-доручених пар, яка в свою чергу залежить від концентрації інжектованих носіїв заряду (рис. 7, 8).
ВИСНОВКИ
На підставі проведених експериментів, було встановлено:
1. При температурах нижче - 200 С спостерігаються порушення режимів роботи світлодіодів, що супроводжується змінами в їх спектральних і струмових характеристиках;
2. Температурна нестійкість режимів роботи світлодіодів визначається механізмом рекомбінації інжектованих носіїв заряду в гомо - і гетероструктурах.
В
Література
1. А.Е. Юнович. Світить більше - гріє менше. // Екологія і життя. 2003, № 4 (33), с. 61-64. p> 2. В.Є. Кудряшов, А.Е Юнович. Тунельна излучательная рекомбінація в pn-гетероструктурах на основі нітриду галію// Журнал експериментальної і теоретичної фізики, 2003, т. 124, ст. 5, с. 1133-1137. p> 3. В.І.Гавріленко, А.М. Гріхів, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптичні властивості напівпровідників (Довідник). // Київ: вид-во "Наукова Думка". -1987, С.369-379. br/>
