резисторів прямолінійної форми рис.3.3, як найбільш проста в конструктивному і технологічному рішенні. Прямолінійна форма забезпечує велику чіткість контуру, високу механічну жорсткість масок, простішу топологію, тому краще віддавати перевагу цьому типу резисторів. Якщо розрахункова довжина резистора виявляється великий і не може бути розміщена на підкладці в одну лінію, то його виконують складної форми у вигляді меандру ріс.3.3б. Резистори типу В«меандрВ» застосовують для отримання високоомних резисторів. Для виготовлення низькоомних опорів, застосовують резистори типу квадрат ріс.3.3в.
В
рис.3.3
Матеріали, застосовувані для виготовлення плівкових резисторів повинні забезпечувати можливість отримання широкого діапазону стабільних у часі опорів, корозійної стійкістю, адгезії, технологічності. Для виготовлення плівкових резисторів використовують різні матеріали: чисті метали і сплави з високим питомим електричним опором, а також спеціальні резистивні матеріали - кермети, які складаються з частинок металу і діелектрика. При виборі матеріалу резистивної плівки рекомендується виходити з того, що всі резистори, розташовані на одній платі, становили один шар і мали однакове питомий опір. p> Зіставляючи фізичні властивості плівок з технічними вимогами до параметрів резистора, вибирають відповідний матеріал. При цьому керуються такими міркуваннями: необхідно, щоб резистор обіймав, можливо, меншу площу, а що розвивається в ньому температура не повинна порушувати стабільність параметрів, прискорювати процеси старіння. За можливості намагаються застосувати більш товсті плівки, тому що у дуже тонких погіршується стабільність опору. br/>
Розробка топології
Резистори
У гібридних інтегральних мікросхемах широко застосовуються тонкоплівкові резистори. Зіставляючи фізичні властивості плівок з технічними вимогами до параметрів резистора, вибирають відповідний матеріал. При цьому керуються такими міркуваннями: необхідно, щоб резистор обіймав можливо меншу площу, а що розвивається в ньому температура не повинна порушувати стабільність параметрів, прискорювати процеси старіння, виводити величину опору за рамки допуску. По можливості намагаються застосувати більш товсті плівки, тому що у дуже тонких погіршується стабільність опору. p> З сказаних вище міркувань вибираємо сплав РС-3710, у якого є такі характеристики: діапазон опорів 10 ... 20000 Ом, Питомий опір 100 ... 2000 Ом /?, Питома потужність 20 мВт/мм 2 , ТКС M a r = 3.5 * 10 -4 , d a r = 1.5 * 10 -4 , коефіцієнт старіння M КСТ = 2 * 10 -6 год -1 , d КСТ = 0.1 * 10 -6 . p> Так само є конструкційні та технологічні обмеження: мінімальна довга резистора l 0 = 0.1 мм, мінімальна ширина резистора b 0 = 0.05 мм, мінімальна довга контактного переходу l до = 0.1 мм, мінімальна відстань між краями перекривають один одного плівкових елементів h = 0.05 мм. p> Для подальшого розрахунку резисторів необхідно знати їх рассеиваемую потужність. Для цього всі елементи в схемі, крім резисторів замінимо еквівалентами даних елементів, крім діодів, враховуючи їх внутрішній опір їх PN - переходу, тобто електрична схема після заміни елементів буде виглядати наступним чином Рис 4.1:
В
а) б)
в)
Рис. 4.1
Для розрахунку струмів будемо використовувати схему, зображену на рис. 4.1в. Розрахунок будемо вести за законами Кірхгофа. p> Необхідні для розрахунку номіналиR 4 = 3,6 кОм, R 3,8 = 197 Ом, R 5 = 1,2 кОм , U 2 = 12,6 B, U 1 = -6,3 B, допустиме відносне відхилення опору від номінального значення для всіх резисторів становить.
Для подальшого розрахунку потужності можна скористатися наступною формулою:
(1)
а для розрахунку струмів в ланцюзі скористаємося законами Кірхгофа:
(2)
Вирішуючи систему (2) визначимо струми в ланцюга:
В
Далі перейдемо до рис. 4.1а: напруга на R 3,8 = 6,107 В, використовуючи закон Ома знайдемо струми I 8 і I 3 :
I 8 = 0,025 A
I 3 = 0,001 A
Далі визначимо потужність резисторів R 5 , R 4 , R 3 і R 8 окремо, для цього скористаємося формулою (1):
Для резистора R 5 : Вт
Для резистора R 4 : Вт
Для резистора R 3 : Вт
Для резистора R 8 : Вт
Для інших резисторів, що не увійшли в спрощену схему, потужність будемо визначати за мінімальним току I 3 :
Для резистора R 2, 6,7 : Вт
Для резистора R 1 : Вт
Подальший розрахунок резистор...
