а як чотириполюсника.
В
Рис.
Знайдемо h-параметри транзистора:
В
Визначимо r б , r k , r е , ? , r k *
r е , r до < span align = "justify"> - опір базо-емітерного, базо-колекторного переходу
r б - опір тіла бази
r k * - опір колекторного переходу. r k * = r до /(1 + ? )
В
Для схеми з ОЕ:
В
Тоді
В
rе визначається формулою:, де - температурний потенціал;
В В В
Знайдемо тепловий струм транзистора:
при t0 = 80 Вє C, розрахуємо для t = 45 Вє C:
Для кремнієвого транзистора А = 2,5
В
Iк0 * = Iк0 В·? = 0,405 В· 10-6 В· 40 = 16,2 мкА. br/>
Топологічний опис схеми
Топологія електричних схем - це спосіб з'єднання окремих компонентів схем (конфігурації схем).
Складемо еквівалентну схему заміщення для нашої схеми (рис.3). З урахуванням того, що схема буде досліджуватися МУПом в статичному режимі, тобто замість конденсаторів в схемі буде розрив. Пронумеруємо вузли, проставимо довільно напрям струмів. br/>В
Рис. 3 Еквівалентна схема заміщення
Складемо систему рівнянь методом вузлових потенціалів:
В
Рішення даної системи рівнянь зробимо в пакеті MathCad
Потенціали вузлів позначимо як v1, v2, v3, v4.
В
В
Система рівнянь
Отримаємо наступні потенціали вузлів:
В
Обчислимо струми:
В
Математична модель схеми
В
Складемо вектор вузлових струмів для даної схеми:
В
Складемо матрицю вузлових провідностей:
В
Моделювання схеми із застосуванням В«Micro-CapВ»
В
Рис. Передавальна характеристика каскаду
В
Рис. Вхідний і вихідний сигнали каскаду
В
Ріс.Входной і вихідний си...
