івнянням експериментально встановлених міжплощинних відстаней d c даними таблиць JCPDS [4]. Мікрорельєф поверхні, мікроструктура і поперечний скол плівок досліджувалися методом скануючої електронної мікроскопії (SEM) на мікроскопі В«H-800В» (Hitachi) з роздільною здатністю 0,2 нм. Елементний склад визначався методом рентгенівської дисперсійної спектроскопії (EDX) на апараті В«Stereoscan-360В» з EDX-спектрометром В«AH 10000В» (Link Analitic,) з дозволом 1 мкм і чутливістю 0,1 ат.%. Якісний і кількісний аналіз елементного складу по глибині шару виконувався на скануючому Оже-Мікрозонд В«PHI-660В» (Perkin Elmer) з локальностью 0,1 мкм і чутливістю 0,1 ат.% На іонному Мікрозонд В«IMS-4FВ» (Cameca). Кількісний аналіз проводився за методом чистих стандартів, де інтенсивність струмів Оже-електронів коригується на коефіцієнт елементної чутливості. Результати аналізу елементного складу за глибиною шару використовувалися для розрахунку Ga/(In + Ga) - профілів. Спектри пропускання досліджувалися в діапазоні довжин хвиль 0,19 - 3,00 мкм на спектрофотометрі В«Cary-500 ScanВ» (UV-Vis-NiR Spectrometer, Varian) і використовувалися для оцінки коефіцієнтів лінійного поглинання і значень краю поглинання.
Для дослідження процесу селенізаціі/сульфірізаціі від моменту отримання базових металевих шарів до формування плівок Cu (In, Ga) (S, Se) 2 були обрані базові шари c складом Cu/(In + Ga) = 0.80 - 0.88, близьким до оптимальному для формування на їх основі сонячних елементів
Дослідження фазового складу плівок Cu (In, Ga) (S, Se) 2 показало, що шари, синтезовані при температурах 340-450 0 С, сформовані твердими розчинами на основі потрійних сполук CuInSe 2 -CuInS 2 і бінарними фазами, з нечіткою ідентифікацією у зв'язку з перекриваються кутами відображення (Мал. 1, а).
Із збільшенням температури рекристалізації спостерігається взаємне розчинення основних компонент, що проявляється у зміщенні кутів відбиття рефлексів (112), (220/204) і т.д. сполук CuInSe 2 і CuInS 2 , а також зниженні інтенсивностей ліній бінарних фаз
а) б)
Малюнок 1. Рентгенограма шару CIGSS: а) - синтезованого при 400 0 С; б) - синтезованого при 520 0 С.
При оптимальних умовах селенізаціі/сульфірізаціі (Т = 480 - 540 0 С) проявляються рівноважні умови росту і формуються полікристалічні плівки твердих розчинів CuIn Х Ga 1-Х (S y Se 1 - y ) 2 , що містять тільки одну структурну фазу халькопирита. Це підтверджується наявністю в рентгенівських спектрах (Мал. 1, б) типових рефлексів (112), (220/204), (116/312) і рефлексів сверхрешетки халькопирита (101), (103) і (201). Тетрагонального розщеплення дублетів (116/312), (008/400) і (228/424) підтверджує формування структури халькопирита з позиційно - впорядкованої катіонної ...
