Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розробка лабораторного макета для дослідження мультиплексорів

Реферат Розробка лабораторного макета для дослідження мультиплексорів





>

В даний час найбільш широко застосовуються мікросхеми ТТЛ-типу, так як їх параметри відповідають вимогам різноманітної електронної апаратури. ТТЛ ІМС мають порівняно високою швидкодією при відносно великій споживаної потужності, високої завадостійкістю і великий здатністю навантаження. p align="justify"> Промисловість випускає кілька різновидів ТТЛ ІМС, в тому числі ІМС з діодами Шотткі (ТТЛШ) підвищеної швидкодії (але більшої потужності споживання) і малопотужні (але з меншим швидкодією).

Мікросхеми Есл-типу є найбільш швидкодіючими. Це обумовлено, зокрема, тим, що транзистори елемента працюють в активному режимі, чим виключається час виходу з насичення; перезаряд навантажувальних вихід ємностей відбувається досить швидко через мале вихідний опір емітерний повторювачів. p align="justify"> Поряд з високою швидкодією і великий здатністю навантаження Есл-елемент відрізняється меншою, ніж ТТЛ-елемент, перешкодостійкістю (зважаючи на те, що для його перемикання достатній невеликий перепад вхідної напруги), а також відносно великим споживанням потужності ( за рахунок роботи транзисторів в активному режимі і малих опорів резисторів, додатково забезпечують швидкодія), що підвищує вимоги до джерел живлення і системі охолодження.

Мікросхеми КМДП-типу відрізняються виключно малим споживанням потужності, за рахунок чого температура кристала не перевищує допустимої при досить великій кількості компонентів на ньому. Це дозволяє виготовляти великі інтегральні схеми (ВІС) КМДП-типу з найвищою в даний час ступенем інтеграції. Мала споживана потужність дозволяє використовувати апаратуру на КМДП ІМС при обмежених можливостях джерел живлення. Разом з цим КМДП ІМС відрізняють висока перешкодозахищеність і великий вхідний опір, наслідком чого є вельми висока навантажувальна здатність (великий коефіцієнт розгалуження по виходу). Поряд з цим КМДП-елемент має обмежений коефіцієнт об'єднання по входу. Це пов'язано з тим, що число входів дорівнює числу навантажувальних транзисторів; за рахунок значного падіння напруги на великій кількості відімкненим навантажувальних транзисторів напруга U1 логічної 1 на виході може істотно знизитися. За швидкодією мікросхеми КМДП-типу поступаються мікросхемам Есл-і ТТЛ-типів. p align="justify"> Зауважимо, що в ряді випадків цифровий пристрій доводиться виконувати на мікросхемах різних типів (наприклад, ТТЛ і ЕСЛ). При цьому для узгодження рівнів логічних 1, а також логічних 0 застосовують перетворювачі рівнів. p align="justify"> Промисловість випускає мікросхеми та інших типів; зокрема, діод-транзисторної логіки (ДТЛ) і Резисторно-транзисторної логіки (РТЛ). ДТЛ ІМС являють собою комбінацію діодним схеми І, і транзисторного інвертора. РТЛ ІМС - комбінація резисторной схеми АБО, і транзисторного інвертера. РТЛ і ДТЛ-типи мікросхем відносяться до ранніх розробкам, не володіють необхідними параметрами і випускаються для ремонту апаратури, виго...


Назад | сторінка 3 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка електричної схеми макета для дослідження D-тригера MS типу з асинх ...
  • Реферат на тему: Інтегральні мікросхеми
  • Реферат на тему: Інтегральні мікросхеми
  • Реферат на тему: Цифрові інтегральні мікросхеми
  • Реферат на тему: Технологія виготовлення інтегральної схеми транзисторних-транзисторної логі ...