ів застосовувалася система В«MathCad 7 ProfessionalВ», тому надалі наводяться результати з нього.
В
Визначимо пробивну напругу для даного транзистора, яке вибирається виходячи з 20%-ого запасу щодо забезпечення надійності і 2-х кратного запасу виходячи з розкиду питомого опору, за формулою:
В
Відповідна цього напрузі концентрація визначається з графіка.
Аналізуючи графік залежності пробивних напруг різких pn переходів від концентрації домішки і радіуса напруг, можна побачити, що необхідний радіус заокруглення pn переходу становить xj = 20 мкм. Для виключення радіуса заокруглення 20 мкм ми використовуємо розширену металізовану обкладку бази. p> Вибираємо топологію транзистора і його параметри:
В
Топологія транзистора і його параметри
В
Розширення колекторного переходу:
Ширину епітаксійного шару вибираємо виходячи розширення ОПЗ:
т. е. збільшуємо до 8 mkm
= 8 * 10 - 4, hе = 3 * 10 - 4, Wb = 3 * 10 - 4 + hе + Wb = 14 * 10 - 4
14 До Е Ф 2,5
400 ЕКЕС 0,01
Мінімальна площа емітера визначається з критичної густини струму колектора, при якій колекторний pn перехід виявляється під нульовим зміщенням через насичення дрейфовой швидкості носіїв заряду Vдрнас = Ој (Е) * Е.
В В
(з графіка залежності дрейфовой швидкості електронів від напруженості електричного поля в кремнії.)
В
Визначаємо периметр емітера.
За емпіричному співвідношенню знаходимо мінімальний розмір периметра для заданого струму.
В
Складаємо пропорцію:
мкм - (0.8-1.2) мА П min =
Пmin - 50 мА
Певний раніше периметр П = 433 <1250, значить він не підходить.
Знаходимо оптимальну форму емітера виходячи з умови: периметр повинен бути більше 1250 mkm.
При заданому значенні струму та периметра оптимальною формою емітера є П-подібна форма. Порахуємо вийшов емітера: Пе = 1280 mkm. p align="justify"> Визначимо опір колектора. У проектованому транзисторі колектор включає в себе окрім основної високоомній області (n) ще й прихований шар (n +). Але його опір невеликий. br/>В
Знаходимо опір колектора:
Для розрахунку опору бази розділимо область проходження струму з бази в емітер на частини:
В
Отримані частини розділимо 3 області.
В
ая область - вносить незначний внесок у загальний опір бази за високої концентрації носіїв заряду. А області I і II збіднена ними із за ефекту відтискування. br/>В
Далі наведений повний розрахунок базової області з системи В«MathCad 7 ProfessionalВ»
В
Визначаємо характеристичні довжини в розподілі донорів і акцепторів, визначаємо дифузійну довжину і к...
