оефіцієнт дифузії носіїв заряду в емітері, базі і колекторі:
В В
Визначаємо?:
В
Визначаємо нормальний і інверсний коефіцієнти передачі струму:
В В В
Знаходимо ширину емітерного pn переходу при прямому і зворотному зсуві: еpn_obr - ширина емітерного pn переходу при зворотному зміщенні.
В
Визначимо ємності pn переходів (до - б) і (е - б)
Знаходимо Ukbmax b Uеbmax [9,10,11]:
В В
Обчислимо граничну робочу частоту транзистора і час розсмоктування ННЗ в транзисторі.:
В
Розрахуємо диференціальні опору колекторного і емітерного pn переходів:
В
Розрахуємо дифузійні ємності колекторного і емітерного pn переходів:
В
Обчислимо коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі:
В
Знайдемо Uкеmax:
В
Визначимо напругу насичення:
Щоб зменшити розраховане напруга насичення до 0.269 В слід збільшити боку квадрата колектора в 3 рази.
В
СХЕМА заміщення транзистора
топологічних ВЕРСТВИ І ЗАСТОСОВУЮТЬСЯ МАТЕРІАЛИ
Топологічні шари і елементи структуриПріменяемие материалынаименованиетолщина, мкмтіп проводимостиНаименованиеОбозначение стандартаколлектор високоомний8n100 14КЕФ 2.5 400ЕКЕС0.01базовая область6pФлюборГОСТ 6-02-4-83еміттерная область3n + фосфор 3-х хлористий ЕТО.035.029 ТУОС.48-4контактние майданчики і проводнікіалюміній А999ГОСТ 11069-74защіталак електроізоляційний АТ 9103-42ТУ 6-19-247-84терміческій окісел0.70.35 ТАБЛИЦЯ ОСНОВНИХ ГЕОМЕТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ КРИСТАЛА ТРАНЗИСТОРА
Позначення параметраЗначеніе параметраНаіменованіе параметраlе260 * 10 -4 смсторона квадрата еміттераhе3 * 10 -4 смтолщіна еміттераhb6 * 10 -4 смтолщіна базиhk8 * 10 -4 смтолщіна коллектораWb3 * 10 -4 смтолщіна активної базиlb320 * 10 -4 смсторона квадрата базиSе5.8 * 10 -4 см 2площадь еміттераSb1.024 * 10-3 см 2площадь базиSk1.024 * 10-3 см 2площадь коллектораSpn1.024 * 10-3 см 2площадь pn переходу колектор-базаhn +400 * 10 -4 смтолщіна прихованого слояZе120 * 10 -4 смШіріна смужки еміттераRе60 * 10 -4 смДліна смужки емітера? 20 * 10 -4 смрасстояніе між емітером і базой1 * 10 -4 см 2Площадь контакту під еміттер1 * 10 -4 см 2Площадь контакту під базу14 * 10 -4 смглубіна залягання колекторної обл. n
Результати обчислень
ПараметрРезультатIk max0, 3 АМаксімальний струм коллектораBN50Нормальний коефіцієнт передачі струму: BI0, 18Інверсний коефіцієнт передачі токаCkb бар21 пФБарьерная ємність колекторного pn переходаCеb бар11 пФБарьерная ємність емітерного pn переходаCk діф1, 6 пФДіффузная ємність колекторного pn переходаCе діф24 нФДіффузная ємність емітерного pn переходаrdk570 кОмДіфференціальное опір коллектораrdе0, 083 ОмДіфференціальное опір емітера? еk-33 * 10 - 6Коеффіціент зворотн...
