СДМ в Simulink
В
Рис.3-Тимчасові діаграми на виході кожного інтегратора
В
Рис.4-Графік спектру сигналу на виході СДМ
DR = 97 дБ
Розрахунок коефіцієнта посилення ОУ
Коефіцієнт посилення, який потрібно забезпечити повинен бути не менше 2 N +1 = 130000. Представлений ОУ класу А/АВ в статті, не дозволить нам забезпечити великий КУ, тому виникла необхідність додавання каскадних транзисторів в перший каскад ОУ.
В
Рис.5 - Схема ОУ з доданими каскадним транзисторами
Розрахунок параметрів першого каскаду
Беремо В, пФ, пФ, МГц
Знайдемо крутизну вхідних транзисторів МР1 і МР2:
В В
З іншого боку:
В
Беремо довжину каналу L = 1 мкм
мкм
Розрахуємо струм:
мА
Всі вище наведені значення характерні і для транзисторів Мр3, МР4 на увазі рівності струмів.
Знайдемо параметри транзисторів Мn1, Mn2, Мn3 і Mn4:
мА
Висловимо ставлення W/L:
В
Беремо довжину каналу L = 1 мкм
мкм
Знаходимо крутизни транзисторів:
мА/В
Знайдемо струм, крутизну і ширину транзистора Мр13:
мА
При L = 1 мкм
мкм
мА/В
Розрахунок параметрів другого каскаду
В
Візьмемо вихідну ємність першого каскаду С1 = 3 пФ. Частота неосновного полюса у багато разів більше одиничної частоти посилення (порядку 10), приймемо. Отримаємо, що ефективна крутизна буде дорівнює:
мА/В
У підсилювачах класу А/АВ струм вхідного транзистора другого каскаду більше, ніж струм транзистора навантаження, тому беремо
мА/В
мА/В
При L = 0,5 мкм
мкм
мА
мкм
мА
Струм через транзистори Мр8 і Мn6 менше, ніж через Мр10 і Мn12, беремо в 4 рази менше. Отримуємо при L = 0,5 мкм:
мА/В
мА
мкм
мА/В
мА
мкм
Ширини транзисторів першого каскаду (L = 1 мкм):
мкм
мкм
мкм
крутизни транзисторів першого каскаду:
В В В
Ширини транзисторів другого каскаду (L = 0,5 мкм):
мкм
мкм
мкм
мкм
крутизни транзисторів другого каскаду:
В В В В
Розрахунок ємностей:
В В
Таблиця 1. Значень ємностей
ТранзісторCgd, фФCgs, пФCbd = СBS,
Ємності вузлів:
пФ
пФ
...
