i> f ? і U кб. доп, вибираємо транзистор типу
КТ803А , для якого I КБО <= 50 мА, f ? = 10 МГц , U кб. доп <= 60 В, I к. доп = 5 А, C до <= 250 пФ. Визначимо оптимальне значення коефіцієнта трансформації n б = 0,4 з формули:
Тривалість фронтів знайдемо за формулою:
В В
Визначаємо опір резистора R, прийнявши за увагу наступне:
а) Під час формування імпульсу ланцюг резистора R повинна мало впливати на струм в базовій ланцюга транзистора. Для цього необхідно, щоб R>> r ' б. p> б) Протікання зворотного струму закритого транзистора через резистор R не повинно створювати помітного падіння напруги, тобто R << E б/(10 I КБO max).
Поклавши E б = 1 В, знайдемо, що величина R = 3 кОм задовольняє обом умовам. При заданій шпаруватості знаходимо необхідну тривалість паузи:
Перевіримо умову E б>> I КБ0max R і поклавши? U до т << E б, визначаємо ємність конденсатора C з формули:
В
Знаходимо
В
Тоді, підключивши додатковий резистор з опором R д = 200 Ом, можна за формулою визначити індуктивність трансформатора, необхідну для формування імпульсу тривалістю 1 мкс:
В
Перевіримо умова відсутності впливу навантаження на тривалість імпульсу за формулою:
В
Таким чином, навантаження мало впливає на тривалість імпульсу.
Процес формування викиду імпульсу блокінг-генератора буде апериодическим, якщо виконується умова
Визначивши З 0 = 20 пФ на підставі формули:
,
переконаємося, що умова виконується за даних значеннях L і З 0, т. е викид аперіодично спадає до нуля. Амплітуда викиду, згідно з формулою дорівнюватиме:
Тривалість викиду
В
Для транзистора КТ803А така амплітуда викиду неприпустима, так як:
Отже, необхідна ланцюг з діода Д ш і резистора R ш, яка зменшує амплітуду викиду до значення:
Обчислимо допустиму амплітуду зворотного викиду:
Максимальний опір шунтуючого резистора знайдемо з формули:
В
звідки R ш max = 0,75 кОм.
Обраний тип діода Д ш повинен задовольняти умовам:
I д max = I ? max = < I д. доп,
| U д. доп |> | E до |.
Вибираємо діод типу Д9Г.
2.2 Вибір та обгрунтування елементної бази
На підставі наведеного вище розрахунку вибираємо елементи (...
