ерелами фотонів службовцями K ? Лінії алюмінію (1486,6 еВ) i магнію (1253 , 6 еВ ). Це область рентгенівського віпромінювання, того фотоелектронна спектроскопія, что вікорістовує ці джерела, назівається рентгенівською фотоелектронною спектроскопією ( РФЕС ). Досить вузькі спектральні Лінії фотоелектронів, положення якіх Дуже чутліве до хімічного стану ЕЛЕМЕНТІВ на поверхні, Робить цею метод Дуже зручне для хімічного аналізу. Первинна назва методу рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, Історія розвитку Якого налічує декілька десятіліть, підкреслює Цю его особлівість - електронна спектроскопія для хімічного аналізу (< i align = "justify"> ЕСХА ).
Останнім годиною вусі більш ШИРОКЕ! застосування в якості джерел фотонів безперервного спектру у фотоелектронній спектроскопії знаходится синхротронного віпромінювання пріскорювачів зарядженості часток. Ці джерела дають спектр від м'якого ультрафіолету до Жорсткий рентгенівського віпромінювання. p align="justify"> Відповідно до рівняння фотоефекту
В
де - енергія фотона, Е кiн - кінетічна енергія фотоелектрона, E B - енергія зв'язку електрона в зразки. При вівченні твердих тіл енергія зв'язку відлічується від уровня Фермі. p> Енергія зв'язку електрона в зразки, вімірюється відносно уровня фермі Ef. Кінетічна енергія фотоелектрона в Зразки вімірюється помощью спектрометра. p> Оскількі зразок и спектрометр знаходяться в ЕЛЕКТРИЧНА контакті, между Електрон ціх металів встановлюється термодінамічна рівновага, в результаті Якої їх Рівні Фермі вірівнюються.
Енергія фотонів відома, кінетічна енергія фотоелектрона реєструється за помощью спектрометра, а робота виходе спектрометра легко візначається за помощью калібрувальніх експеріментів.
Дуже ВАЖЛИВО біля фотоемісійніх дослідженнях є стан поверхні досліджуваніх крісталів, оскількі товщина аналізованого приповерхневого шару й достатньо малою. У спектроскопії, зв язаній з віпромінюванням фотонів, вона візначається Обернений коефіцієнтом поглинання ціх фотонів І, як правило, складає ~ 200 Г… < span align = "justify"> и больше. У випадка, ЯКЩО віпромінюються Електрон, то товщина аналізованого кулі рівна глібіні виходе ціх електронів, яка поклади від їх ЕНЕРГІЇ. У інтервалі енергій 50 - 100 еВ Глибина виходе електронів может складаті Всього 5 Г… [16]. Тому, за таких малих значеннях глибино виходе, для здобуття достовірної ІНФОРМАЦІЇ Із даніх вимірювань фотоелектронніх ...
