Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Аналітичний розрахунок підсилювача напруги низької частоти на біполярних транзисторах

Реферат Аналітичний розрахунок підсилювача напруги низької частоти на біполярних транзисторах





резистори R2:

=EK - U2, (6)

=11,4 - 3=8,4 В.

Розраховують опір резистора R2 за законом Ома:

=U2 / I2=U2 / Iд, (7)

=3 / 0,0011=2727,2 Ом.

за розрахунковими даними я вибрав номінальний резистор R2 випускає промисловістю С2-33-0 ,125-2, 7 КОм ± 5%

При розрахунку опору резистора R1 потрібно враховувати, що через нього протікає сума струмів:

=U1 / (Iд + IБо). (8)

=8,4 / (0,0011 + 0,00022)=6363,6 Ом.

за розрахунковими даними я вибрав номінальний резистор R1 випускає промисловістю С2-23-0 ,125-6, 2 КОм ± 5%

Знаходять вхідний опір підсилювача Rвх як еквівалентний опір Rекв трьох включених паралельно резисторів R1, R2 і h11е

Опір навантаження підсилювача беруть такого ж значення:

екв=R1? R2 / (R1 + R2), (9)

екв=6,2 * 2,7 / (6,2 +2,7)=1,9 КОм.

вх=Rекв? h11е / (Rекв + h11е), (10)


де h11е - вхідний опір транзистора при короткому замиканні на його виходевх=1900 * 950 / (1900 +950)=633,3 Ом.

Опір навантаження Rн підсилювача беруть такого ж значення:

н=Rвх (11)


Розраховують опір резистора R е за законом Ома:

е=UЕ / (Ікс + Iбо), (12)

е=2,8 / (0,001 +0,00022)=2295 Ом.

За розрахунковими даними я вибрав номінальний резистор R е випускає промисловістю С2-33-0 ,125-2, 2 КОм ± 5%

Оцінюють ємність шунтирующего конденсатора CЕ в емітерний ланцюга за наближеною формулою:


Се=1 / (2? fHrе), (13)

де Rе=2h12е / h22е; fH - нижня частота.


Се=1 / (2 * 3,14 * 25 (2 * 7,5? 10-3/50? 10-6))=21 мкФ.

за розрахунковими даними я вибрав номінальний конденсатор Се випускає промисловістю К50-35-22 мкФ - 15В

Оцінюють ємність розділового конденсатора Cб на вході схем за наближеною формулою:

б=1 / fн Rвх. (14)

б=1/25 * 633,3=63 мкФ.

за розрахунковими даними я вибрав номінальний конденсатор Сб випускає промисловістю К53-1-68 мкФ - 15В

Ємність розділового конденсатора на виході схеми розраховують за аналогічною формулою, але замість Rвх беруть Rн:


Ск=1 / fH RH, (15)


Ск=1/25 * 633,3=63 мкФ.

За розрахунковими даними я вибрав номінальний конденсатор Ск випускає промисловістю К53-1-68 мкФ - 15В

Визначають коефіцієнт посилення по напрузі в області середніх частот:


(16)

=(45/950) * 633,3=30.

Коефіцієнт посилення по потужності:

. (17)

=(2025/950) * 633,3=1350.

Коефіцієнт посилення по струму:

=Кр / Кu (18)

=1350/30=45.

розсіюється на колекторі потужність:

к=Uке Iко. (18)

к=5 * 0,001=0,005 Вт


Таблиця 1 Розрахункові дані

Rвх. ОмRн. ОмR1. кОмR2. кОмRе. кОмIб мАIдел мАIк майок ВUе ВUке В633, 3633,36,22,72,20,221,1111,42,85 Uк ВU1 ВU2 ВСЕ мкФСб мкФСк мкФКiКuКpРк ВтUк В3, 68,43226868453013500,0053,6


3. Практична частина


На вхідний і вихідний ВАХ транзистора за розрахунковими даними побудовані динамічні характеристики каскаду.


Рис.9-вхідна ВАХ з розрахунковими даними


Рис.10-вихідна ВАХ з розрахунковими даними


Назад | сторінка 3 з 5 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Обмін даними
  • Реферат на тему: Робота з даними
  • Реферат на тему: Розрахунок одноконтурною системи автоматичного управління за експерименталь ...
  • Реферат на тему: Операції над даними в СП з плаваючою точкою
  • Реферат на тему: Програма сортування файла з даними