чаткового матеріалу, способу формування резистора і його форми (структури).
Напівпровідникові резистори - це резистори, виготовлені на основі напівпровідникового матеріалу методами напівпровідникової технології. Розрізняють об'ємні та дифузійні напівпровідникові резистори. Об'ємні резистори отримують шляхом створення омічних (невипрямляющімі) контактів металу з напівпровідником. За ідеальних контактах питомий опір? v такого резистора визначається об'ємними властивостями напівпровідника.
Оскільки на практиці використовують леговані напівпровідники, їх питомий опір у разі повної іонізації домішки.
(1)
(2)
Незважаючи на простоту конструктивного і технологічного виконання, об'ємні резистори не знайшли широкого застосування через велику займаної площі і температурної нестабільності.
Дифузійні резистори формують на основі дифузійних шарів, товщина яких набагато менше їх ширини і довжини. Дифузійні резистори ізольовані від решти обсягу напівпровідника pn-переходом. Вони можуть бути виготовлені одночасно з іншими елементами при формуванні структури напівпровідникових ІМС.
Тому для реалізації дифузійних резисторів в напівпровідникових ІМС використовують ті ж дифузійні шари, які утворюють основні структурні області транзистора: базову, еміттерную або колекторну.
Опір дифузійного резистора R визначається питомим опором напівпровідникового шару, його глибиною і займаною площею:
де - середній питомий опір дифузійного шару;
-глубінадіффузіі; і b - довжина і ширина ділянки поверхні, в який проводилася дифузія.
При створенні напівпровідникових ІМС параметри всіх дифузійних шарів оптимізують для отримання найкращих характеристик транзистора. Тому при розрахунку опору дифузійних резисторів за формулою (3) виникає завдання визначення конфігурації (довжини і ширини) резистивного шару по його відомим характеристикам: поверхневої концентрації і розподілу домішок, глибині залягання переходу та ін На практиці значення обумовлене також вимогами до параметрів транзистора і для кожного конкретного шару, який можна використовувати як резистивного,=const. Тому розрахунок і конструювання дифузійних резисторів полегшуються введенням поняття про питому поверхневому опорі шару (опорі на квадрат). Це опір визначається виразом
і для кожного шару транзистора є постійним.
З урахуванням виразу (4) опір дифузійного резистора
Так як ps визначається вимогами до областей транзистора, то проектування дифузійних резисторів заданого номіналу зводиться до визначення l і b.
У загальному випадку питомий поверхневий опір дифузійного шару з урахуванням концентраційної залежності рухливості носіїв заряду і нерівномірного розподілу домішки по товщині шару, обумовленого дифузією,
де - усереднене по концентрації значення рухливості носіїв заряду;
- усереднене по координаті (товщині дифузійного шару) значення концентрації домішки.
Вираз (6) можна представити у вигляді
При відомих хара...
