Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора

Реферат Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора





Розрахувати параметри резисторів виходячи із заданого положення робочої точки в класі А () і її нестабільності S, при напрузі джерела живлення схеми, типу транзистора VT1, для схеми на рис.1.

Статичний коефіцієнт посилення базового струму вибираємо рівним 500.

Так як транзистор кремнієвий, то контактна різниця обох переходів дорівнює - значення напруги база-емітер. Так як - джерело постійної напруги, то схему можна спростити, прибравши всі конденсатори і непотрібні резистори. Також приберемо зі схеми джерело змінної напруги і отримаємо схему зображену на рис.2


Рис.2 Спрощена схема підсилювача


Припустимо, що транзистор знаходиться в нормальній активної області. Враховуючи, що робоча точка знаходиться в класі А, розрахуємо напруга колектора.


Для малосигнальних схем напруга на R е становить 5-30% напруги Eк, тому виберемо 10%.



Визначимо опору і, для цього розрахуємо струм емітера, використовуючи для цього коефіцієнт посилення емітерного струму, вираженого через коефіцієнт посилення базового струму:



За умовою?=500, тоді



Аналогічно розрахуємо базовий струм:



Тоді:


Одержуємо:



Якщо знехтувати струмом бази, то на ділянці А-В протікає струм рівний відношенню:



З виразів (2) і (3) випливає, що


, (4)


Знайдемо опір бази. Для цього нам знадобиться коефіцієнт нестабільної робочої точки каскаду, що виражався як:


Звідси обчислимо номінал опору RБ, який так само дорівнює паралельному з'єднанню резисторів R1 і R2.



Вирішуючи систему з рівнянь (4) і (5) знайдемо R2 і R1

Одержуємо:=5267 Ом;=1662 Ом; К=750 Ом; Е=166 Ом.

Номінальні значення резисторів візьмемо відповідно до низки Е24, тоді отримаємо:=5250 Ом;=1650 Ом; К=750 Ом; Е=160 Ом.


Завдання 2


Розглянемо вузлові потенціали у схемі. Побудувати передавальну характеристику схеми на ділянці база-колектор транзистора) і нанести на неї робочу точку. Позначити на характеристиці області роботи транзистора.

Розглянемо вузлові потенціали у схемі зображеної на рис.3.

Рис.3 Схема для знаходження потенціалів


Знайдемо різницю потенціалів на емітер:

однокаскадний підсилювач біполярний транзистор


Знайдемо різницю потенціалів на базі:



Знайдемо різницю потенціалів на колекторі:



Отримали вузлові потенціали:


;

;

.


Для побудови передавальної характеристики скористаємося додатком Workbench 5.12. Для того щоб побудувати залежність, потрібно в схемі поставити два вольтметра: перший - для зняття потенціалу бази, ставиться між базою і землею, другий - для зняття потенціалу колектора, ставиться між колектором і землею. Так само для того, щоб регулювати потенціал бази в схему вводять джерело ЕРС приєднаний до бази (Рис.4).


Рис.4 Схема для зняття передавальної характеристики


Табл.4

5,0135,0114,233,462,752,070,971,822,633,54 00,480,821,071,251,431,522,533,244,12

Рис.5 Передатна характеристика


На передавальної характеристиці (рис. 5) показана робоча точка (РТ) відпов...


Назад | сторінка 3 з 5 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розробка схеми електроживлення споживача змінного струму низької напруги
  • Реферат на тему: Модернізація комбінованого вольтметра В7-40 для вимірювання середньоквадрат ...
  • Реферат на тему: Реалізації схеми підсилювача систем автоматики із заданим коефіцієнтом поси ...
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів вимірювальних приладів для вимірювання електричного с ...