Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора

Реферат Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора





Завдання на курсову роботу


Розрахувати номінальні значення резисторів виходячи із заданого положення робочої точки в класі А () і її нестабільності S, при напрузі джерела живлення схеми, типу транзистора VT1, для схеми на рис.1.

Визначити вузлові потенціали у схемі. Побудувати передавальну характеристику схеми на ділянці база-колектор транзистора) і нанести на неї робочу точку. Позначити на характеристиці області роботи транзистора.

Оцінити розрахунковим шляхом основні малосигнальні параметри розглянутої схеми.

Визначити по вхідних і вихідних вольт-амперних характеристиках транзистора області роботи підсилювача без нелінійних спотворень.

На основі відомостей про нижньої граничної частоті смуги пропускання підсилювача з урахуванням даних про опорах навантаження і джерела сигналу визначити ємності розділових і блокувального конденсаторів.

Побудувати АЧХ і ФЧХ підсилювача, за якими визначити граничні частоти смуги пропускання підсилювача.

Побудувати принципову схему з вузловими потенціалами, передавальної, перехідною, сімейств вхідних і вихідних вольт-амперних, амплітудно-частотної характеристик за допомогою прикладної програми комп'ютерного моделювання та дослідження електронних схем (Electronics Workbench, Multisim, Micro-Cap).

Порівняти результати з отриманими розрахунковим шляхом.

Рис.1 Принципова електрична схема підсилювача


Табл.1 Вихідні дані

Iка, mВS Eк, ВТіп транзистора Fн, ГцRг, кОмRн, кОмCн, пФ385КТ3102Г10003610

Параметри транзистора КТ3102Г.

Транзистор кремнієвий, npn структури.


Табл.2 Параметри транзистора КТ3102Г

ОбозначениеЗначениеПараметрBст400-1000Статический коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в схемі з загальним емітером (наводиться діапазон допустимих значень) Fгр, МГц150Гранічная частота усілітеляCк / Uкб, пФ/В8/5Емкость колекторного переходу (Cк) при напрузі на колекторі (Uкб) Uке.нас / (Ік / Іб) , В/мА/мА0, 1/10/1Напряженіе насичення колектор-емітер (Uке.нас) біполярного транзистора при заданому струмі колектора (Ік) і заданому струмі бази (Іб) Uбе.нас / (Ік / Іб), В / мА/МА0, 9/10/1Напряженіе насичення колектор-емітер (Uбе.нас) біполярного транзистора при заданому струмі колектора (Ік) і заданому струмі бази (Іб) IКО, мкА0, 5Обратний ток коллектораIЕО, мкА30Обратний ток еммітераUеб.max, В30Максімально допустиме постійне напруга емітер-базаUке.max, В20Максімально допустиме постійна напруга колектор-еміттерIк.max, мА100 Максимально допустимий струм коллектораPк.max, мВт300Максімально допустима розсіює потужність на колекторі

Табл.3 Ряди номінальних значень параметрів типових радіоелементів (ГОСТ 2825-67)

Індекс рядаЧісловие коефіцієнти, множимо на 10Допуск,% Е61, 01,52,23,34,76,8 Е121, 01,52,23,34,76,8 1,21,82,73 , 95,68,1 Е241, 01,52,23,34,76,8 1,11,62,43,65,17,5 1,21,82,73,95,68,1 1,32,03 , 04,36,29,1

Так як у курсовій роботі буде використовуватися додаток Workbench 5.12, в якому відсутня транзистор КТ3102Г, то замість нього будемо використовувати його зарубіжний аналог BC109C, який схожий з ним за параметрами. Тому розрахункові значення можуть відрізнятися від значень, отриманих при використанні програми Workbench.


Завдання 1

...


Назад | сторінка 2 з 5 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Параметри біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Принцип Дії и режими роботи біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора МП-40А