ті. ЦІ мікросхеми мают дві виряджай контактів, розташованіх вздовж Довгих сторон чіпу, и загнуті до низу.
3.1 Модулі SIP
Модулі типом SIP являються собою прямокутні плати Із контактами у виде невеликих штірків. Цей тип пам яті в цею годину: практичніше не вікорістовується, так як БУВ вітісненій модулями пам яті типом SIMM.
3.2 Модулі SIMM
Модулі типом SIMM являються собою прямокутній плату Із контактні Смуга вздовж однієї Із сторон, модулі фіксуються в роз'ємі поворотом помощью защібок. Найпошіреніші 30- и 72 - Контактні SIMM. Найчастіше вживанию були модулі на 4, 8, 16, 32 и даже 64 Мбайт.
3.3 Модулі DIMM
Модулі типом DIMM найпошіреніші у виде 168-контактних модулів, встановлюються в троянд ємі вертикально и фіксуються защібкамі. У портативних прилаштувати широко Використовують SO DIMM - Різновид DIMM малого розміру (англ. SO - smalloutline), Які в Першу Черга прізначаліся для портативних комп ютерів. Найчастіше зустрічаються 72- и 144 - Контактні модулі типом SO DIMM. Пам ять типом DDR SDRAM віпускається у виде 184-контактних DIMM-модулів, а для пам яті типом DDR2 SDRAM віпускаються 240-Контактні модулі.
3.4 Модулі RIMM
Модулі типом RIMM Менш пошірені, в таких модулях віпускається пам ять типом Direct RDRAM. Смороду представлені 168/184-контактними прямокутній платами, Які обов язково повінні встановлюватіся Виключно парами, а порожні троянд ємі обов язково повінні буті зайняті спеціальнімі заглушками. Це пов язано Із особливую конструкції таких модулів. Такоже існують модулі 232-pin PC1066 RDRAM RIMM +4200, Які НЕ сумісні Із 184-контактних троянд ємом.
3.5 Принцип роботи DRAM
У СУЧАСНИХ комп ютерів фізично DRAM-пам ять представляет собою плату - модуль, на якому розміщуються мікросхеми пам яті зі спеціалізованім з єднувачем для Підключення до матерінської плати. Роль комірок відіграють конденсатори та транзистори, Які розташовані Всередині мікросхем пам'яті. Конденсатори заряджаються у випадка, коли в комірку заноситися одінічній біт, або розряджаються у випадка, если в комірку заноситися нульовий біт.
Рис. 3.2
Принцип роботи DRAM читання, для простої матриці 4 на 4, (рис. 3.2).
Рис. 3.3
Принцип роботи DRAM записів, для простої матриці 4 на 4, (рис. 3.3).
Конструктивно пам ять DRAM складається Із комірок розміром в 1 або 4 біта, в Кожній Із якіх можна зберігаті Певний ОБСЯГИ даних. Сукупність комірок подобной пам яті створюють умовний прямокутник, Який складається Із певної кількості стрічок та стовпців. Один такий прямокутник назівається сторінкою, а сукупність сторінок назівається банком. Весь набор комірок умовно діліться на кілька областей.
транзистори потрібні для Утримання заряду Всередині конденсатора. За відсутності подачі електроенергії до оператівної пам яті відбувається розрядження конденсаторів и пам ять спустошується. Ця дінамічна зміна заряду конденсатора и є основними принципами роботи пам яті типом DRAM. Елементом пам яті такого типу є чутлівій підсилювач, англ. senseamp, Який підключеній до шкірного Із стовпців прямокутник. ВІН реагує на Слабкий потік електронів, Які рухаються через відкриті транзистори Із обкладінок конденсаторів, и зчітує Цілком всю сторінку. Саме Сторінки и є мінімальною порцією обміну Із дінамічною пам'яттю, тому что обмін Даними Із окремо взятою коміркою нереально.
Елементи пам яті в мікросхемі DRAM - це кріхітні конденсатори, Які утрімують заряди. Саме так наявністю або відсутністю зарядів и кодуються біті. Проблеми, пов язані з пам яттю цього типу, віклікані тім, что вона дінамічна, тобто винна Постійно регенеруватіся, оскількі інакше електричної заряди в конденсаторах пам яті стікатімуть и дані будут Втрачені. Регенерація відбувається, коли контролер пам яті системи вагітн кріхітну Перерва и звертається до всіх рядків даних в мікросхемах пам яті. Більшість систем мают контролер пам яті зазвічай вбудовуваній в набор мікросхем сістемної плати, Який налаштованості на відповідну промисловим стандартам частоту регенерації, рівну 15 мкс. До всіх рядків даних Звернення здійснюється после проходження 128 спеціальніх ціклів регенерації. Це означає, что кожні 1,92 мс прочітуються всі рядки в пам яті для забезпечення регенерації даних.
регенерація пам яті, на шкода, віднімає годину у процесора: КОЖЕН цикл регенерації за трівалістю займає декілька ціклів центрального процесора. У старих комп ютерів цикли реге...
