замість Supply- джерело Supply +=0 В.
Поступово збільшували значення керуючої напруги Supply +, знімаючи напруги колектора. Отримані дані показані в таблиці 3.
Таблиця 3. Характеристики транзистора в усилительном режимі
Supply +, ВU, ВU, ВI, мкАI, мА08.370017.41150.823.5260430.1401006.9540.08850.07160.06370.05480.05290.050100.043
Умова насичення транзистора має вигляд: I кн? BI б. Воно визначається відношенням струму I б до I кн. З умови насичення видно, що для насичення транзистора досить створити струм бази I бн=I кн/B, який називається базовим струмом насичення. Параметром насичення транзистора є ступінь насичення S=I б/I бн.
Базовий струм насичення I=100 мкА.
У режимі насичення значні зміни струму бази призводять до незначних змін UКЕ, тобто в цьому режимі транзистор втратив свої підсилювальні властивості. При цьому на виході схеми формується низький рівень напруги, що відповідає логічному нулю.
Дослідження ключа ОЕ
Рис. 17. Схема транзисторного ключа ОЕ
Перебрали схему рис. 16, замінивши в ній джерело сигналу керування. Замість джерела VPS підключіть функціональний генератор FGEN. Замість резистора R7 поставимо більш високоомний резистор R15=10кОм, щоб ввести транзистор в режим насичення при обмежених амплітудних можливостях FGEN (2.5В) порівняно з VPS (12В), так як використовуваний транзистор має коефіцієнт посилення порядку 50, а R3=20кОм залишений в схемою. Вибрали з меню FGEN, встановимо прямокутну Waveform, встановимо частоту 1kHz, нульове значення DC Offset і амплітуду імпульсів Peak Amplitude, рівну 2,5 В. Підключили Scope каналом CHA + до входу схеми, а каналом CHB + до виходу ключа ОЕ.
Рис. 18. Діаграма залежності вихідної напруги від вхідного, при імпульсній напрузі частотою f=1 кГц і амплітудою UВХ=2.5 В на вході ключа ОЕ
розімкнутому стані ключа відповідає режим відсічення транзистора (транзистор замкнений), а замкнутому - режим насичення (транзистор відкритий).
Транзисторний ключ - один з найпоширеніших елементів імпульсних пристроїв. Головне призначення транзистора, що працює в ключовому режимі, це замикання і розмикання ланцюга. Підсилювальні властивості транзистора в цьому режимі відсутні.
Висновок
Були досліджені підсилювальний і ключові режими роботи біполярного транзистора. Підсилювальний режим транзистора зазвичай використовується в підсилювальних каскадах. Для цього режиму характерне посилення вхідної напруги по потужності за рахунок керуючої напруги. У ключових режимах (режим відсічення і режим насичення) підсилювальні властивості транзистора відсутні. Ці режими застосовуються як аналог механічного ключа для замикання і розмикання електричного кола.
