аних значеннях конденсаторів і індуктивностей забезпечується необхідна резонансна частота 915 МГц.
Основні технічні характеристики XE1203:
- Вихідна потужність: до +15 дБм на навантаження 50 Ом (тип);
Чутливість входу: до -113 дБм (тип);
Споживання: Rx = 14 мА; Tx = 62 мА (15 дБм);
Напруга живлення: до 5 В;
Швидкість передачі: від 1,2 до 152,3 кБод (NRZ-кодування);
Режим Konnex-сумісності;
11-розр. Кодек Баркера;
Вбудований синтезатор частоти з кроком 500Гц;
Двох рівнева FSK модуляція з безперервною фазової функцією;
Розпізнавання вхідних даних (використовується для виходу із сплячого режиму);
Система синхронізації вхідних даних (Bit-Synchronizer);
Контроль рівня прийнятого сигналу (RSSI);
Контроль частоти (FEI).
3.6 Структурні рішення з програмного забезпечення контро Ллерена
На основі вищесказаного в цій роботі ставиться завдання розробити пристрій, що відповідає за контроль і своєчасне оповіщення про настання тієї чи іншої події, що відбувається в тепловому насосі. З необхідними для виготовлення кресленнями схемами за єдиним російським стандартом. p align="justify"> На основі широкого аналізу технічного завдання проводяться конструкторські розрахунки з метою побудови пристрою за допомогою підприємства-виробника електронних пристроїв. Особливу увагу приділено конструкторським розрахунками на механічні, температурні дії, впливу прискорення при вібрації. br/>
4.Разработка контролера
Для здійснення дипломного проекту будуть потрібні наступні пристрої:
однокристальна мікроЕОМ;
датчик швидкості;
датчик сигналізації;
датчик тиску;
датчик температури;
рідкокристалічний індикатор (РКІ);
клавіатура;
драйвер управління IGBT транзистором.
МікроЕОМ (мікроконтролер) забезпечує управління всією схемою і відповідно дозволяє виконувати всі задані функції, т.ч. мікроконтролер є основою всього пристрою. Датчики служать для визначення основних параметрів теплового насоса шляхом вимірювання часу між двома цифровими сигналами, що надійшли з нього. РКІ і клавіатура дозволяють виводити і задавати основні робочі параметри, а драйвер управління IGBT транзистором і сам IGBT транзистор роблять можливим регулювання шляхом широтно - імпульсної модуляції (ШІМ). p align="justify"> В основу структурної функціональної схеми (малюнок 4.1) був покладений апаратно-програмний метод реалізації алгоритму...
