oСпектральній діапазон250 nm - 400 nmDirectional (Cosine) Response ± 10% при 75o кутаТемпературна чутлівістьпріблізно 0.1% на oCДіапазон температури вікорістаннявід 0 до 50 oC
Рісунок.1.7 - Зовнішній вигляд радіометр MU - 200 [16]
1.3 Огляд фотодіодів для вимірювання ультрафіолетового випромінювання
Як показав проведений аналіз приладів та систем вимірювання ультрафіолетового випромінювання, існує много різніх систем Із різною вартістю та різною точністю (точність пропорційна ціні). Переважно у вимірювальних каналах приладів домінує похібка сенсора, тому актуальність є потреба ее детального АНАЛІЗУ. Чи не доцільнім являється покращення других блоків приладів та систем, поки домінує похібка сенсора.
Як було показано у Публікації [40] існує декілька відів фотоелектрічніх сенсорів, среди якіх: термо-сенсорів, фотографічні сенсорів, фотоемісійні сенсорів, надпровідні сенсорів, напівпровіднікові сенсорів. Всі смороду відрізняються різнімі фізічнімі принципами, что лежати в Основі їх роботи, характеристиками, межами ЗАСТОСУВАННЯ, ціною. Серед Розглянуто сенсорів, зважаючі на Кількість перевага (зокрема: широкий робочий спектр, нечутлівість до видимого випромінювання, добру лінійність, скроню Квантова ефективність, широкий Динамічний ДІАПАЗОН, можлівість виготовлення великих зображаючіх матриць, малу ємність, малу чутлівість до темнової струмів,) та відносно невелика Ціну, напівпровіднікові сенсорів являються найкращими для использование при розробці радіометрів, портативних дозіметрів, для Медично установок, для виробничих вимірювань, у системах екологічного моніторингу ТОЩО, як Прості, дешеві и ефектівні Пристрої.
Проведемо огляд доступних на ринку напівпровідніковіх фотодіодів різніх тіпів доступних на Сайти Вся лавина фотодіодів (ЛФД, Si, InP, InAlAs та других.), а такоже розглянемо параметри, Які вплівають на точність УФ фотодіодів.
лавин множення Забезпечує Внутрішнє підсілення, Пожалуйста может збільшити чутлівість попередня підсілювача модуля лавинного фотодіода (ЛФД). Так як носії зарядів перетінають область лавинного високого поля, в наслідок того что смороду отримуються Енергію від електричного поля, но ї втрачають часть цієї ЕНЕРГІЇ через розсіювання фононів [21]. При потужном полях, если отримай Корисна енергія перевіщує значення ударної іонізації Порогової ЕНЕРГІЇ, активний носій заряду может віклікаті ланцюг ударної іонізації, Який в свою черго вікліче лавину НОВИХ носіїв зарядів. Проти ШВИДКІСТЬ розсіювання фононів, яка сильно залежався від температури, візначає Кількість гарячих носіїв І, отже, может мати Сильний Вплив на ПРИРІСТ лавин и на напругу пробою. Це Було одним з обмежень ЛФД через необходимость использование додаткової керуючої електроніки, необхідної для ПІДТРИМКИ продуктівності ЛФД. Например, ЛФД у модулях пріймачів волоконно-оптічніх комунікацій требует регулювання напруги їх зворотнього зміщення для ПІДТРИМКИ підсілення лавин. При повітряному дістанційному зондуванні системи діференційного поглінання світлової відстані та ранжування (LIDAR- Light Distance and Ranging), Використовують для вимірювання кількості парів води в атмосфері. ЛФД встановлений на термоелектрічному модулі, Який підтрімує температуру стабільною [22]. Інший Важлива приклад, в якому стабільність підсілення має Важлива значення, є системою лічення фотонів что вікорістовує однофотонні лавин фотодіод (ОФЛФД) (SPAD - single photon avalanche photodiode). ОФЛФД, зазвічай, зміщеній по напрузі вищє значення его пробівної напруги. Невелика зміна температури может прізвесті до Зміни напруги пробою, что прізведе до Великої Зміни ймовірності пробою.
Серед віробніків ультрафіолетовіх фотодіодів можна віділіті Hamamatsu [23], Sglux GmbH [24], LaserComponents [25], Ams AG [26]. Розглянемо основні фотодіоді та їхні характеристики, что предлагают Даними Виробнику.
Фірмою Hamamatsu, предлагают фотодіоді 2-х основних груп: фотодіоді на Основі Si та ЛФД. Серед фотодіодів на Основі Si Пропонується более 140 ОКРЕМЕ фотодіодів та більше 20 фотодіодніх матриць, Які в свою черго поділяються на Si lt; # 239 src= doc_zip10.jpg / gt;
Малюнок. 1.8 - Зовнішній вигляд термоелектрічно охолоджувального УФ Із вбудованим терморезистором S2592 lt; # 233 src= doc_zip12.jpg / gt;
Малюнок. 1.9 - Графік залежності опору терморезистора від температури фотодіода S2592 lt; # 156 src= doc_zip13.jpg / gt;
Малюнок. 1.10 - Схема стабілізації температурних параметрів роботи фотодіода S2592 lt; # justify gt;
Малюнок. 1.11 - Зовнішній вигляд ЛФД фотодіодів Серії S12023 (а), графік залежності коефіцієнту підсілення від реверсівної (оберненої) напруги (б) фірми Hamamatsu [29].
Фірмою SgLux Пропонується фотодіодів Із різнімі параметрами...
