чаємо величину опору R б1 за формулами (2.16):
(2.16)
З ряду Е24 пріймається стандартне значення R б1=30 (кОм).
. Розраховуємо коефіцієнт підсілення каскаду за формулою (2.17):
(2.17)
де, R кн - Опір каскаду за зміннім СТРУМ, візначається за формулою (2.18):
(2.18)
. Знаходімо значення ємностей розділовіх конденсаторів за формулою (2.19):
(2.19)
З ряду Е24 пріймається стандартне значення C р1=10 (мкФ).
14. Обчіслюємо значення ємності шунтуючого конденсатора в ланцюзі емітера за формулою (2.20):
(2.20)
З ряду Е24 пріймається стандартне значення C е=300 (мкФ).
15. Візначаємо Потужність, споживання каскадом від джерела живлення за формулою (2.21):
(2.21)
. Обчіслюємо коефіцієнт Корисної Дії каскаду за формулою (2.22):
(2.22)
Результати розрахунку елементів підсілювача за схему з загально емітером наведено в табліці 2.1.
Таблиця 2.1 - Результати розрахунку підсілювача
ПараметрЗначення Розмірність123Напруга живлення Е Ж 90ВОпір резистора бази 1 R Б1 30кОмОпір резистора бази 2 R Б2 3,6кОмОпір емітерного резистора R Е 300ОмОпір Колекторная резистора R К 1900ОмЄмність розділовіх конденсаторів З р1, С р2 10мкФЄмність емітерного конденсатора С е 300мкФКоефіцієнт підсілення До U 271,4Опір НАВАНТАЖЕННЯ R Н 1900Ом
Проведемо моделювання схеми помощью програми Orcad. Схема моделювання подана на малюнку 2.1. Результат моделювання подано на малюнку 2.2.
Рисунок 2.1 - Схема моделювання підсілювача
Малюнок 2.2 - Результати моделювання схеми підсілювача
Висновки: Виконаю по Розрахунковим данім схемотехнічне моделювання ми отримавших графік, розходження которого з розрахованім коефіцієнтом підсілення:
Розходження можна поясніті тім, что моделювання проводять з аналогом транзистора КТ630Б, а не з самим транзистором. Отже можна стверджуваті, что розрахунок БУВ зроблений вірно. Результати розрахунків наведені в табліці 2.1.
3. РОЗРАХУНОК генераторів ІМПУЛЬСНІХ СІГНАЛІВ
3.1 Розрахунок одновібратора
Дано:
· амплітуда вихідного імпульсу U m2=19 (В);
· длительность вихідного імпульсу t і=138 (мкс);
· период проходження імпульсів запуску Т=188 (мкс);
· ДІАПАЗОН Зміни температур (- 50 ... + 60) ° С;
· припустима нестабільність трівалості імпульсу=6,5 (%).
. За трівалості и ПЕРІОДУ візначаємо шпаруватість вихідних імпульсів за формулою (3.1):
(3.1)
. Вібіраємо напряжение джерела живлення, яка винна буті в 1,2 ... 1,3 рази более амплітуді вихідного імпульсу за формулою (3.2):
(3.2)
Обираємо стандартне значення Е ж=24 (В).
3. За напрузі джерела и початково данім вібіраємо тип транзистора.
Віходячі з умови (3.3), вібірається транзистор.
(3.3)
Оберемо транзистор КТ313А (pn-р) [8], у которого Е Кдоп=60 gt; 2 · 24.
Запішемо необхідні параметри транзистора:
. Знаходімо тепловий струм колектора за формулою (3.4):
(3.4)
де t 0 - початкова температура, пріймається для нормальних умів рівною 20 ° С.
. Опір в колі бази візначаємо напругою джерела, теплові Струмило и завданні нестабільністю імпульсу за формулою (3.5):
(3.5)
З ряду Е24 пріймається найближче стандартне значення R Б=560 (кОм).
6. Опір в Колекторная ланцюзі транзистора VT 2 візначаємо за відомим опором в базовому колі и мінімальному для даних умів коефіцієнту підсілення. Для стійкої роботи _дно вібратора при розрахунку винна Виконувати Умова (3.6).
(3.6)
де? min - коефіцієнт підсілення при мінімальній температурі мінус 50 ° С. ВІН складає 60% СЕРЕДНЯ значення І в...
