ій точці:  
   де - коефіцієнт, що визначає величину падіння напруги на опорі зворотного зв'язку. 
  Отримане напруга живлення округлимо до стандартного значення. 
  Знаючи напруга живлення каскаду розрахуємо величину опору: 
    Округлимо до найближчого значення 
  Знаючи опір знаходимо опір навантаження для постійного струму: 
    і складемо рівняння навантажувальної прямої для постійного струму: 
   Побудуємо навантажувальні прямі по постійному і змінному струму. Навантажувальна пряма по постійному струму перетинається з навантажувальної прямої змінного струму в робочій точці (А). Вони зображені на рис. 3.3.2. 
   Рис. 3.3.2. Навантажувальні прямі по постійному і змінному струму. 
   Струм бази в робочій точці знаходимо за сімейства вихідних статистичних ВАХ транзистора (див. вище рис. 3.3.2.): 
 . 
  Для розрахунку опорів базового подільника необхідно задатися струмом дільника. Чим більше струм дільника, тим вище стабільність режиму роботи, але тим більше потужність, що розсіюється резисторами і, і тим менше вхідний опір каскаду. Для отримання прийнятною стабільності режиму струм дільника повинен як мінімум в декілька разів перевершувати струм бази в робочій точці. Зазвичай величина струму базового подільника повинна задовольняти умові: 
   Виберемо струм дільника. 
  Використовуючи сімейство вхідних статистичних ВАХ транзистора, за відомим струму і напрузі знаходимо напруга база - емітер в робочій точці (рис. 3.3.3.). 
   Рис. 3.3.3. Вибір напруги база - емітер в робочій точці. 
  . 
  За відомим току дільника і напрузі база - емітер в робочій точці знаходимо опір резисторів дільника, що забезпечують це напруга: 
    Округлимо до найближчого номінального значення. 
   Номінальне значення в ряду стандартних опорів 
				
				
				
				
			  Отримали наступні параметри: 
 , 
  За розрахованим параметрам елементів стабілізації режиму роботи транзистора слід розрахувати величину відносної нестабільності струму колектора: 
    де - абсолютна зміна струму колектора при зміні температури кристала транзистора;- Абсолютна зміна напруги база - емітер при зміна температури переходу на величину;- Абсолютна зміна зворотного струму колекторного переходу при зміні температури; , - Коефіцієнти, враховують роботу схеми емітерний стабілізації струму колектора транзистора;- Загальний опір в ланцюзі бази; і - g-параметри?? ранзістора в робочій точці при кімнатній температурі. 
  Взявши з пункту 3.2. максимальну температуру переходу транзистора визначимо мінімальну температуру переходу: 
   Зміна температури переходу транзистора: 
    Абсолютна зміна напруги база - емітер: 
  . 
   визначимо використовуючи залежності зворотного струму колектора від температури, наведені на рис. 3.3.4. 
   Рис. 3.3.4. Типові нормовані залежності зворотного струму колекторного переходу від температури. 
   На ріс.3.3.4.- Зворотний струм колектора при температурі переходу;- Зворотний струм колектора при кімнатній температурі (беремо з табл. 2); залежність 1 відповідає кремнієвим транзисторам малої потужності (); залежність 2 відповідає кремнієвим транзисторам середньої потужності (). Отже вибираємо залежність 2 по якій знаходимо нормоване значення зміни зворотного струму колекторного переходу при зміні температури переходу на величину: 
    Тоді абсолютна зміна зворотного струму колекторного переходу: 
  . 
   Для знаходження коефіцієнтів і розрахуємо g - параметри транзистора в робочій точці при кімнатній температурі, використовуючи довідкові значення, і, взяті з табл.2: 
    І загальний опір в ланцюзі бази одно: 
    Знаючи і g - параметри знайдемо коефіцієнти і: 
    Розрахуємо величину відносної нестабільності струму колектора транзистора, по уже відомих значеннях (для каскадів імпульсних підсилювачів вона не повинна перевищувати 0,25): 
   . 4 Визначення низькочастотних і високочастотних параметрів транзистора 
   Для розрахунку каскаду імпуль...