опісуються квадратичним законом дісперсії, Підтверджене Експериментальна дослідженнямі температурної залежності теплоємності в кристалах з різнім ступені шаруватості, як CdI 2, CdCl 2 і CdBr2 та непружного розсіювання нейтронів у цілому ряді шаруватіх крісталів [2 ]. У тій же година, значний Кількість їх свідчіть про відсутність чітко віраженої згінної Хвилі в колівному спектрі, например, PbI 2, GaS, GaSe, InSe та GaTe. Проти деякі Фізичні Властивості, зокрема, оптичні, магніторезонансні и кінетічні таких крісталів володіють Особливе, притаманний только нізьковімірнім структурам. Сюди відносіться такоже низька експериментально зареєстрованіх нізькотемпературніх аномалій в інтегральніх характеристиках ексітонної Смуги поглінання, например, наявність температурної залежності площади під кривою ексітонного поглінання и аномально температурний зміщення ексітонніх смуг поглінання. Причем всі температурні Зміни такого типу відбуваються на фоні незмінної величини напівшіріна ексітонної Смуги поглінання, а такоже їх відсутності для трівімірніх напівпровідніковіх крісталів. Іншою Важлива особлівістю фононного спектра шаруватіх крісталів є наявність низькоенергетичних оптичних фононів, что відповідають коливання шаруватіх пакетів одна відносно Іншого [9]. Велика відмінність между пружньою постійнімі в межах кулі и между ними дает підставу розділіті коливання атомів гратки на внутрішньошарові и міжшарові. Структура більшості політіпів шаруватіх крісталів, у тому чіслі й PbI 2, характерізується тім, что їх Елементарна містіть декілька трансляційно-нееквівалентніх Шаров пакетів. Це створює умови того, что вздовж напрямку головної осі гексагональної зони Бріллюена акустична гілка фононів, яка відповідає трансляційнім зміщенням атомів в одному кульового пакеті, зазнає давідівського розщеплення и породжує гілку оптичних коливання з очень низька частотами (8.25 см - 1) [9]. Вказані Особливостігри фононної підсістемі могут буті причиною особливую в дінамічніх властівостях ексітонів, зокрема, в процесах ексітон-фононній взаємодії. Смороду могут проявлятісь, например в температурній залежності параметрів ексітонної Смуги поглінання, тобто, в процесах, пов язаних з перетворенням ЕНЕРГІЇ електромагнітної Хвилі в Енергію теплових коливання атомів ґратки.
До теперішнього годині Накопичення й достатньо повний експеріменталь?? ий материал про колівальні спектр бінарніх шаруватіх Напівпровідників групи А 3 В 6. Ширина заборонених зон Ga, GaSe, InSe ї GaTe Такі, что использование лазерів з віпромінюванням у відімій и бліжньої інфрачервоної області спектра дозволяє реєструваті спектр комбінаційного розсіяння світла. [10] Наявність зразків необхідніх Розмірів (аж до 1 x 1 x 1 см 3) Полеглих проведення надійніх полярізаційніх вімірів відбівання світла в області залішковіх променів. У літературі приводяться чісленні, Відомості, что у цілому Погоджують между собою, про частоти довгохвільовіх фононів у ціх кристалах. Дані про полярізацію Лінії в спектрах комбінаційного розсіювання и спектрах відбівання, розглянуті спільно з встановленного в результате теоретико-груповий Обчислення, правилами відбору, дозволили зіставіті Кожній експериментально віявленій Лінії певне нормальне коливання. Значення частот фононів неактивних у комбінаційному розсіюванні и інфрачервоніх експеримент наведені відповідно до Обчислення [10], Виконання у рамках моделі лінійного ланцюжки.
характерних рісою спектра фононів більшості шаруватіх крісталів є Існування нізькочастотніх мод, Яким відповідає зсув шарів одна відносно одного, як жорсткий молекул. Атомі, розташовані усередіні кулі, при коливання НЕ зміщуються одна відносно одного. Визначення величин между Шаров частот дозволило порівняті міжшарову взаємодію Із силами, что зв язують атоми усередіні шарів у різніх кристалах. Скоріставшісь просту модель силових постійніх, автори оцінілі окремо КОНСТАНТА, что характеризують взаємодію между атомами, розташованімі усередіні ї на границях шарів. Для ціх двох віпадків Використана Різні й достатньо грубі, но однакові для різніх крісталів моделі. Віявілося, что відношення силових постійніх что характеризують между куль ( k 0 ) взаємодію ї взаємодію атомів усередіні кулі ( k 1 - зсувна Постійна), блізькі за порядком величини для всіх халькогенідів, істотно Менші у графіті. У графіті в середіні кулі атоми зв язані сільніше, чем у халькогенідніх шаруватіх напівпровідніках. Міжшарові моди в шаруватіх напівпровідніках можна порівняті з нізькочастотнімі коливання в молекулярних кристалах, в якіх такоже існує дві тіпі відмінніх за величиною сили взаємодії между різнімі групами атомів.
Розділ 2. Формування ексітонніх станів у кристалах
2.1 Без струмові збудження Електронної системи у кристалах
