начимо, що метою стабілізації є забезпечення однакових умов роботи транзистора при певний розкид параметрів (насамперед величиною h21Е) і зміною умов навколишнього середовища (головним чином температури, найбільш сильно впливає на значення зворотного струму колекторного переходу - Iкб0 ).
Для транзистора ВКУ величина допустимого позитивного приросту струму iк.0доп визначається граничним становищем р.т. (рис.3), при якому ще забезпечується отримання від транзистора необхідної вихідної потужності. Це прирощення колекторного струму визначається співвідношенням:
(6.1)
вихідний каскадний підсилювач частота
де опір навантаження постійному струму дорівнює:
(6.2)
Iб0=45мкА - струм бази, рівний струму зміщення за усередненими характеристиками транзистора.
Виберемо стандартне значення опору емітера з ряду Е24:
.
Для визначення типу резистора обчислимо потужність, що виділяється на резисторі:
,
тоді вибираємо тип резистора МЛТ - 0,125.
Рахуємо:
При відсутності стабілізації зміни постійного струму може бути значно більше допустимого. Коли ВКУ відділений по постійному струму від попереднього каскаду, максимально можливе позитивне прирощення колекторного струму одно:
(6.3)
Де
(6.4)
Тут h21Еmax=500 - найбільший для обраних умов роботи статичний коефіцієнт підсилення транзистора по струму;- Зворотний струм колектора, визначається для максимально можливої ??температури pn переходу. Так як в довідкових даних [2] для обраного транзистора КТ3102Б наведено значення при температурі 85? C, яка відрізняється від обчисленої раніше максимальної температури pn-переходу рівний 85,8? C менш ніж на 10? C, то для розрахунків можна прийняти довідкове значення [1].
Тоді,
.
Після цього можна перейти до визначення необхідної глибини місцевої ООС по постійному струму в СКУ, що дозволяє знизити зміни колекторного струму до допустимої величини:
(6.7)
Фактична глибина ООС ПТ в СКУ залежить від елементів схеми:,, (рис.2). Величина визначена вище. Опору і рівні:
; ;
Нехай,
а, тоді
,.
Вибираємо значення і за Держстандартом (ряд Е24):
,.
Визначаємо потужності, що виділяються на резисторах бази:
,
.
Для обох резисторів виберемо МЛТ - 0,01.
Фактична глибина ООС ПТ дорівнює:
,
де.
Умова: gt; (6.8) - виконується.
7. Розрахунок вихідного каскаду посилення по змінному струмі
Розрахунок ВКУ по змінному струмі проводиться для гармонійного сигналу номінальної величини, при якому забезпечується отримання заданої вихідної потужності в навантаженні.
Оптимальне еквівалентний опір навантаження транзистора, що забезпечує отримання найбільшої вихідної потужності при порівняно малих спотвореннях:
.
Воно відповідає однаковому використанню транзистора по струму і напрузі. Вихідна динамічна характеристика, відповідна рівнянню, наведена на рис. 3:
.
Номінальні амплітудні значення змінних складових вихідного струму і напруги (з боку первинної обмотки вихідного трансформатора):
;
.
При номінальному значенні вихідної потужності використовувана ділянка характеристики лежить між точками А і В. У цих точках (рис. 3)
,;
,.
віддається транзистором потужність дорівнює:
.
Токи бази, відповідні точкам А і В, визначають використовувана ділянка вхідний характеристики (рис. 4). За вихідний характеристиці визначимо значення струмів бази, відповідних точкам А і В: і. Відзначаємо отримані значення струмів бази на вхідний характеристиці (рис. 4) і визначаємо відповідні значення напруги емітер-база і. Зміни вхідного струму щодо робочої точки у бік збільшення і зменшення, як видно з малюнка, повинні бути неоднаковими. Тому для подальших розрахунків краще використовувати усереднені значення:
амплітуди вхідної напруги і струму:
(7.1)
. (7.2)
Рівняння (7.1) і (7.2) дозволяють знайти вхідний опір транзистора (між базою і емітером):
.
Вхідна потужність, необхідна для отримання номінальної потужності на виході:
.
Середні значення динамічних коефіцієнтів підсилення по струму, напрузі і потужності:
; ;
Значення максимального і мінімального вхідних опорів транзистора використовуються в подальших розрахунках.
8. Побудов...
