никах наводиться мінімальне значення модуля статичного коефіцієнта посилення по струму | h21Емін | на досить високій частоті ??. У цьому випадку гранична частота транзистора в схемі з загальним емітером дорівнює:
(4.2)
де h21 е хв - наводиться в довіднику.
Для деяких типів транзисторів в довідниках дається гранична частота в схемі з загальним емітером або гранична частота в схемі із загальною базою fh 21 бмін
Тоді
(4.3)
З транзисторів, що відповідають умовам (4.1 - 4.3), вибираємо транзистор, що має:
менший зворотний струм колекторного переходу I КБ 0;
малі теплові опори Rт.пк і Rт.пс і більш високу температуру переходу Тп. макс. доп.;
великі значення статистичних коефіцієнтів посилення h21 е і менший розкид цих параметрів;
максимально допустиме миттєве напруга на колекторі бажано мати в межах
к. макс=(1-1,5) Eп
Вибираємо транзистор КТ3102Б, що задовольняє всім перерахованим вище вимогам. Основні параметри і характеристики обраного транзистора наведені в додатку 1.
Для обраного транзистора gt; 144мВт.
?.
Остаточно питання про вибір певного транзистора вирішується після розгляду його характеристик і вибору режиму роботи.
5. Вибір режиму роботи транзистора ВКУ
Режим роботи БТ (робоча точка - Р.Т.) визначається значеннями постійних струмів колектора, емітера, бази і постійних напруг між цими електродами. Ці величини взаємозалежні і можуть бути однозначно визначені значеннями постійного струму колектора. Від вибору цих параметрів залежить значення неспотвореної вихідної потужності.
Для вибору режиму використовується сімейство вихідних характеристик для схеми з ОЕ, параметром є струм бази. Вони приводяться в довідниках для найбільш лінійній області, де значення струмів, напруг і потужності розсіювання не перевищують максимально допустимих.
При однаковому використанні транзисторів по струму і напрузі значення і в робочій точці не повинні перевищувати половини максимально допустимих, тобто для забезпечення гарантованої надійності транзистора повинні виконуватися умови:
Напруга на транзисторі ВКУ має становити не більше 0,8 Еп. При обраному, для отримання необхідної вихідної потужності, значення струму в робочій точці:
(5.1)
Збільшення необхідно для використання більш лінійної частини характеристики. Остаточне положення робочої точки уточнюють по сімейства вихідних характеристик. Найбільш доцільним є вибір р.т. в середній частині робочого поля характеристик. Положення р.т. можна вибирати і незбіжним з однією з показаних статистичних характеристик сімейства.
Вибираємо робочу точку на сімействі вихідних характеристик (рис. 3) при і. Визначаємо значення струму колектора в робочій точці. Перевіряємо умову (10.1):
.
Рис. 3 Вихідні статичні характеристики транзистора
Критерієм правильності вибору р.т. є також максимальні значення температури pn переходу:
(5.2)
яка не повинна перевищувати максимально допустиме для даного транзистора значення Тп.макс.доп.
Виконаємо перевірку (максимальна температура середовища становить +33? С):.
навантажувальні прямі (рис.3) будуються таким чином. Загальною точкою є робоча точка (р.т.). Інша точка для Rн=дорівнює (точка 1): к1=Еп=17В; Iк1=0
Для Rн ~ (точка 2):
к2=2 Uк0=24В; Iк2=0.
Зазначені значення точок 1 і 2 відзначаємо на осі напруг і проводимо відповідні навантажувальні прямі.
Для подальших розрахунків ВКУ визначаються статичні параметри транзистора:
статичний коефіцієнт посилення по струму в робочій точці
;
вихідний опір транзистора в режимі насичення:
.
Так як величина обрана більше величини, обумовленою співвідношенням (5.1), фактичний коефіцієнт використання транзистора виходить менше 0,7:
.
Повний сімейство вхідних характеристик в довіднику [2] не наводиться. Напруга зсуву Uбо визначається за вхідний статичній характеристиці для Uк? 0 (рис. 4). Цю ж характеристику приймаємо в подальших розрахунках за вхідну динамічну.
Рис. 4. Статичні вихідні характеристики.
. Розрахунок стабілізації режиму роботи транзистора ВКУ
Стабілізація режиму роботи ВКУ забезпечується негативним зворотним зв'язком по постійному струму (ООСПТ). Вище було відзначено, що в схемі вихідного каскаду (рис.2) використовується емітерна стабілізація; вона створюється включенням в емітерний ланцюг досить великого опору R е і ООСПТ є послідовною.
Відз...
