яється вже на частотах у кілька кілогерц. Недротяні резистори мають значно менші значення розподілених параметрів і можуть застосовуватися на частотах у сотні і навіть тисячі мегагерц.
Індуктивність резистора визначається конструкцією і розмірами резистивного елемента і висновків. Зазвичай вона невелика і погонна індуктивність становить приблизно 3 нГн/см крім випадків, коли для збільшення опору резистора Резистивна шару надається вигляд спіралі. У цьому випадку погонна індуктивність збільшується до десятих часток мікрогенрі на сантиметр. Індуктивність висновків тим менше, ніж вони коротше і товстіше. Тому високочастотні резистори не мають дротяних висновків, вони забезпечуються плоскими контактами, розташованими безпосередньо на резистивном елементі, контакти впаюються у відповідні ділянки схеми.
Ємність резистора залежить від його форми, розмірів, конструкції висновків, від діелектричної проникності матеріалів каркаса і захисного покриття. Поширені типи резисторів володіють погонной ємністю від 0,05 до 0,15 пФ/см. Ємність залежить і від розташування резистора щодо інших елементів конструкції.
Активний опір R f і ємність C f є частотнозавісімой. При f В· C В· R 0 ВЈ 0,1 (де C - повна ємність резистора, пФ; R 0 - опір постійному струму, Мом; f - частота, МГц). Ця залежність виражена слабо і може не враховуватися. З точністю до 1% можна вважати R f = R 0 . На більш високих частотах, коли f В· C В· R 0 > 0,1, опір резистора падає і до значення f В· C Г— R 0 Г— ВЈ 0,5 може бути визначено за формулою
R f = R 0 В· [ 1-0,9 В· (f В· C В· R 0 ) 2 ]. br/>
З цієї формули можна визначити граничну частоту резистора f гр , на якій активний опір зменшується на 1%.
f гр = 0,1/(С В· R 0 ).
На частотах вище 1МГц додаткове зменшення активної складової викликається діелектричними втратами в каркасі і в захисному покритті. Тому каркаси високочастотних резисторів виготовляють зі спеціальної кераміки з малими величинами діелектричної проникності і тангенса кута діелектричних втрат, що не застосовують захисне покриття. p> Переважний вплив індуктивності проявляється у резисторів мають опір нижче 300 Ом. Повний опір збільшується із зростанням частоти до виникнення шунтуючого впливу ємності.
Найменше значення реактивності мають металлодіелектріческіе і метало плівкові резистори. p> В імпульсному режимі через резистор проходять повторювані імпульси струму, миттєві значення яких можуть перевищувати величини режиму безперервного навантаження.
Паразитні ємності й індуктивності спотворюють форму імпульсів, зменшують максимальне значення сигналу за рахунок зміни модуля опору. Форма імпульсу зберігається задовільною при виконанні умови
f макс ВЈ 0,35/t ф ,
де f макс - частота, на якій модуль повного опору зменшується в 1,41 разів;
t ф - тривалість фронту імпульсу.
Імпульсна потужність може значно перевищувати потужність розсіювання при безперервній навантаженні. Для імпульсів прямокутної форми середня потужність визначається виразом
P ср = U і 2 В· t і В· F і /R = (U і 2 /R) (t і /T і ) = P і /Q,
де U і - амплітуда імпульсу;
t і - тривалість імпульсу;
F і - частота повторення імпульсів;
Т і = 1/F і - Період повторення імпульсів;
Q = T і /t і - шпаруватість;
P і - імпульсна потужність.
Для нормальної роботи резистора необхідно, щоб середня потужність не перевищувала номінальну потужність резистора. Максимально допустима тривалість імпульсу обмежується температурою нагріву резистивного елемента за час дії імпульсу, тобто обмежується допустимої енергією кожного окремого імпульсу і середньою температурою резистора. Напруга на резисторі під час імпульсу не повинно перевищувати напруга пробою ізоляційних матеріалів і повітряних зазорів. Резистори, призначені для роботи в імпульсному режимі, повинні володіти високим ступенем однорідності резистивного елемента, щоб виключити локальні перегріви в місцях неоднорідностей.
3. ХАРАКТЕРИСТИКИ Змінні резистори
Змінні резистори додатково характеризують рядом параметрів: функціональною характеристикою, роздільною здатністю, шумами ковзання, зносостійкістю і деякими іншими.
Функціональна характеристика визначає залежність опору змінного резистора або напруги від положення рухомого контакту. За характером функціональної залежності змінні резистори д...
